深圳市千屹芯科技有限公司祁金伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市千屹芯科技有限公司申请的专利超级结绝缘栅双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000153B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210628469.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超级结绝缘栅双极型晶体管是由祁金伟;卢烁今;张耀辉设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本超级结绝缘栅双极型晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种本发明实施例提供了一种超级结绝缘栅双极型晶体管，包括沿第一方向依次设置的集电极、集电区、漂移区、外延层、阱区和发射极，以及，栅极和超级结区，所述栅极设置在所述阱区和外延层内，所述漂移区具有沿第一方向依次设置的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域与集电区之间，其中，所述超级结区设置在所述第一区域，所述第二区域设置有离子注入区，所述离子注入区能够调控所述第二区域底部的少子寿命，且所述离子注入区与所述超级结区、集电区无直接接触。本发明实施例提供的一种超级结绝缘栅双极型晶体管，降低了超结IGBT关断过程中的电流拖尾、加速了器件的关断过程。
本发明授权超级结绝缘栅双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种超级结绝缘栅双极型晶体管，包括沿第一方向依次设置的集电极、集电区、漂移区、外延层、阱区和发射极，以及，栅极和超级结区，所述栅极设置在所述阱区和外延层内，其特征在于： 所述漂移区具有沿第一方向依次设置的第一区域和第二区域，所述第二区域位于所述第一区域与集电区之间，其中，所述超级结区设置在所述第一区域，所述第二区域设置有离子注入区，所述离子注入区能够调控所述第二区域的少子寿命，且所述离子注入区与所述超级结区、集电区无直接接触，所述离子注入区为通过对所述漂移区进行氢离子注入后形成的，所述离子注入区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度，所述离子注入区的氢掺杂浓度为1E16-1E18。
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