三星电子株式会社韩赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210637213.X，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权制造半导体器件的方法是由韩赫;朴济宪;尹基炫;李彰原;林炫锡;河周延设计研发完成，并于2016-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括： 形成具有暴露下部导体的开口的上部结构； 沉积覆盖所述开口的内表面的第一钨层，所述第一钨层在所述开口中限定凹进区； 对所述第一钨层的一部分执行表面处理工艺，使得所述第一钨层具有在所述开口的上部区域中的被所述表面处理工艺处理的第一表面和在所述开口的下部区域中的没有被所述表面处理工艺处理的第二表面；以及 在所述第一钨层的所述第一表面和所述第二表面上同时沉积第二钨层，使得所述第二钨层填充整个所述凹进区， 其中当在所述第一表面和所述第二表面上同时沉积所述第二钨层时，从所述第一表面生长的钨晶粒的生长速率低于从所述第二表面生长的钨晶粒的生长速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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