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龙图腾网获悉南京大学;网络通信与安全紫金山实验室申请的专利一种铌基约瑟夫森结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210531719.2，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种铌基约瑟夫森结的制备方法是由王华兵;黎晓杰;李丁丁;陈士县;孙汉聪;吕阳阳;吴培亨设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌基约瑟夫森结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种铌基约瑟夫森结的制备方法，属于低温超导技术领域，制备方法主要包含以下过程：清洗基片；光刻定义底电极区域；制备Nb底电极；剥离；制备Al‑AlOx‑Al势垒层；生长Nb顶层电极；再次光刻，定义结区和顶电极区域；反应离子刻蚀和离子束刻蚀；去胶。本发明通过微加工技术、真空镀膜技术和刻蚀技术制备铌基约瑟夫森结，简化了工艺；采用两次光刻的工艺制备铌基约瑟夫森结，减少了器件在制备过程中界面退化的可能性，简化了制备铌基约瑟夫森结的工艺，避免了复杂的加工流程，有利于约瑟夫森结的大规模制造和应用。

本发明授权一种铌基约瑟夫森结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌基约瑟夫森结的制备方法，其特征在于：将氧化铝作为隔离上下超导电极的绝缘层材料，采用两次光刻分别实现底电极区域定义、以及结区和顶电极区域的定义；具体包括以下步骤： 步骤1：清洗基片； 步骤2：光刻定义底电极区域；采用紫外光刻曝光显影技术在洁净的基片表面制备底层电极的图形；首先旋涂光刻胶，且使衬底表面的光刻胶分布均匀并且厚度达到微米量级，然后进行烘烤和图形曝光，曝光结束后进行显影； 步骤3：制备Nb底电极；在真空条件下，利用磁控溅射设备在基片表面生长铌膜； 步骤4：剥离；在有机溶剂中去除光刻胶，进行剥离操作；将生长有铌膜的基片放入丙酮浸泡，待光刻胶脱落后使用去离子水冲洗，使用氮气气枪吹干，得到Nb底电极； 步骤5：制备Al-AlOx-Al势垒层；制备势垒层所用的材料为铝，在生长铝膜前，使用离子束刻蚀设备清洗样品表面，去除Nb表面存在的氧化膜；刻蚀完成后将样品传送到电子束蒸发设备中，在样品表面生长铝膜；再经过氧化后得到中间势垒层，再到电子束蒸发设备中，生长2nm的铝膜，作为保护层； 步骤6：生长Nb顶层电极； 步骤7：再次光刻，定义结区和顶电极区域；紫外光刻曝光显影技术在顶层铌膜上定义结区及顶层电极的图形； 步骤8：采用反应离子刻蚀和离子束刻蚀，去除未被光刻胶保护的Nb顶层膜和势垒层；刻蚀顶层Nb膜的过程在反应离子刻蚀设备中进行，刻蚀Al-AlOx-Al势垒层的过程在离子束刻蚀设备中进行； 步骤9：去胶，得到成品。

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