浙江驰拓科技有限公司何世坤获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种基于MRAM的PUF生成器件及基于其的PUF生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111652961.7，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权一种基于MRAM的PUF生成器件及基于其的PUF生成方法是由何世坤;张楠;黄张英设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于MRAM的PUF生成器件及基于其的PUF生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于MRAM的PUF生成器件及基于其的PUF生成方法，该基于MRAM的PUF生成器件通过采用PUF数据阵列和PUF数据读电路组成基于MRAM的PUF生成器件，先利用第一初始化磁场初始化PUF数据阵列，使每个PUF数据单元中钉扎层的磁矩方向均被磁化为第一方向；之后再利用第二初始化磁场初始化PUF数据阵列，使每个PUF数据单元中钉扎层的磁矩方向被随机性地从第一方向翻转为第二方向。通过控制钉扎层随机翻转，更加方便的控制每个PUF数据单元的随机写入概率。
本发明授权一种基于MRAM的PUF生成器件及基于其的PUF生成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MRAM的PUF生成器件，其特征在于，包括： 由多个PUF数据单元组成的PUF数据阵列；其中，每个PUF数据单元包括由自由层、隧道层、参考层和钉扎层组成的磁性隧道结；在利用第一初始化磁场初始化所述PUF数据阵列时，每个PUF数据单元中钉扎层的磁矩方向均被磁化为第一方向；且在利用第二初始化磁场初始化所述PUF数据阵列时，每个PUF数据单元中钉扎层的磁矩方向被随机性地从所述第一方向翻转为与所述第一方向相反的第二方向； PUF数据读电路，用于在利用所述第二初始化磁场初始化所述PUF数据阵列之后，读取所述PUF数据阵列中每个PUF数据单元的状态，形成PUF数据。
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