度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司连欢获国家专利权
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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121461097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610013752.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法是由连欢;吕家纲;欧阳仟山;佟金阳设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述方法通过在衬底表面沉积第一介质层，并通过第一光刻工艺实现VCSEL激光器的对准标记、接触窗口、台面与划片道结构的构建；其次通过第二光刻工艺构建金阻挡层，基于湿法刻蚀工艺腐蚀台面以及划片道开放砷化镓衬底深槽，并对外延进行氧化处理；最后通过第三次光刻开放台面顶部和打线区域，通过金属溅射连通接触窗口和打线区域，实现垂直腔面发射激光器的P面电极互联。本申请方案通过将VCSEL制备工艺大大缩短，降低了多步光刻引入的对位偏差，提升了光刻套刻精度和产品良率。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底表面沉积第一介质层，基于第一光刻工艺在所述第一介质层表面刻蚀形成多个图形结构，包括对准标记、接触窗口、台面与划片道，再基于所述台面的位置确定出光孔的位置，其中，所述接触窗口、所述台面与所述出光孔为同心设置； 基于第二光刻工艺在所述第一介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一介质层的除所述出光孔、所述台面、所述划片道以外的区域； 对所述台面与所述划片道位置处的部分衬底进行腐蚀，获得第一氧化槽与第二氧化槽，分别对所述第一氧化槽与所述第二氧化槽进行氧化处理，沉积第二介质层，所述第二介质层分别覆盖所述第一金属层、所述第一氧化槽、所述第二氧化槽与所述出光孔； 基于第三光刻工艺去除所述台面两侧预设区域内的所述第二介质层，以及设置的打线区域上方覆盖的所述第二介质层，并分别在所述台面的底部及其两侧预设区域内、所述打线区域覆盖第二金属层。
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