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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利滤波器及其形成方法、以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121461926B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511972797.6，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权滤波器及其形成方法、以及电子设备是由谷成进;刘志敏;马经博设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本滤波器及其形成方法、以及电子设备在说明书摘要公布了：一种滤波器及其形成方法、以及电子设备，滤波器包括：压电层包括相背设置的第一侧和第二侧，第一电极位于第一侧，第二电极位于第二侧，沿与压电叠层结构的厚度方向相垂直的平面方向上，压电叠层结构包括多个谐振单元；散热结构，位于相邻的谐振单元的交界处，且散热结构与第一电极和第二电极中的任一者相接触，或者，散热结构分别与第一电极和第二电极相接触；通过在相邻的谐振单元的交界处设置散热结构，能够有效促进谐振单元因压电层振动产生的热量快速沿压电层的延伸方向横向传导，增强了远离压电叠层结构边缘位置处的谐振单元的导热路径的导热效果，从而提高了滤波器的散热效率，进而改善了滤波器的性能和可靠。

本发明授权滤波器及其形成方法、以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种滤波器，其特征在于，包括： 压电叠层结构，包括堆叠设置的第一电极、压电层以及第二电极，所述压电层包括相背设置的第一侧和第二侧，所述第一电极位于所述第一侧，所述第二电极位于所述第二侧，沿与所述压电叠层结构的厚度方向相垂直的平面方向上，所述压电叠层结构包括多个谐振单元； 散热结构，位于相邻的所述谐振单元的交界处，且所述散热结构与所述第一电极和第二电极中的任一者相接触，或者，所述散热结构分别与所述第一电极和第二电极相接触；所述散热结构包括第一散热结构和第二散热结构；其中，所述第一散热结构位于所述压电层的任一侧的所述第一电极或第二电极上，且所述第一散热结构与位于所述压电层同一侧的所述第一电极或第二电极相接触；所述第二散热结构从所述压电层的任一侧贯穿所述压电层，并与所述压电层的另一侧的所述第二电极或所述第一电极朝向所述压电层的表面相接触； 所述压电叠层结构还包括：伪电极，位于所述压电层的任一侧或分别位于所述压电层的两侧，所述伪电极与位于所述压电层同一侧的所述第一电极或第二电极为材料相同的同层电极，且所述伪电极与同一侧的所述第一电极或第二电极间隔设置；所述第二散热结构从所述伪电极所在的一侧依次贯穿所述伪电极和压电层，且与所述伪电极相接触；使得伪电极与另一侧的第一电极或第二电极通过第二散热结构相连接，从而使得伪电极与另一侧的第一电极或第二电极处于同一电势。

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