华海清科(北京)科技有限公司王同庆获国家专利权
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龙图腾网获悉华海清科(北京)科技有限公司申请的专利抛光终点检测方法、化学机械抛光设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121468390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610019802.X，技术领域涉及：B24B37/013；该发明授权抛光终点检测方法、化学机械抛光设备及存储介质是由王同庆;窦华成;刘志;田芳馨设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本抛光终点检测方法、化学机械抛光设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种抛光终点检测方法、化学机械抛光设备及存储介质，属于化学机械抛光领域，该方法包括：获取化学机械抛光过程中晶圆表面的反射光谱；采用预设修正系数对反射光谱进行修正，得到修正反射光谱；基于修正反射光谱与对应阈值的比较结果，将修正反射光谱划分为暗噪光谱和待测光谱；基于待测光谱、暗噪光谱、参考光谱以及预设参考光谱反射率确定晶圆表面的反射率；利用晶圆表面的反射率确定晶圆厚度，以基于晶圆厚度检测抛光终点。本申请提升了终点检测的准确性。
本发明授权抛光终点检测方法、化学机械抛光设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种抛光终点检测方法，其特征在于，包括： 获取化学机械抛光过程中晶圆表面的反射光谱； 采用预设修正系数对所述反射光谱进行修正，得到修正反射光谱；所述修正系数是在与所述化学机械抛光过程对应的抛光环境，根据窗口片在不同磨损时期的厚度变化标定获得； 确定所述修正反射光谱的平均光强、最大光强以及光谱拟合优度；将所述最大光强大于第一阈值或所述平均光强小于第二阈值、并且采集点位置为预设位置范围内的修正反射光谱确定为暗噪光谱；将所述平均光强或所述最大光强大于预定筛选阈值，并且所述光谱拟合优度大于预设拟合优度阈值的修正反射光谱确定为待测光谱； 将所述待测光谱去除掉所述暗噪光谱，得到第一光谱；将参考光谱去除掉所述暗噪光谱，得到第二光谱；基于所述第一光谱、所述第二光谱及预设参考光谱反射率，确定所述晶圆表面的反射率； 利用所述晶圆表面的反射率确定晶圆厚度，以基于晶圆厚度检测抛光终点。
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