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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610013831.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法是由李佳豪;赵德益;蒋骞苑;王允;严林;郑彩霞设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域，包括第一栅极、源极电极和漏极电极，还包括：第二栅极，第二栅极连接外部电路控制单元；多晶电阻，连接于第一栅极和第二栅极之间；触发通道，连接于漏极电极和第一栅极之间，触发通道的击穿电压小于器件击穿电压。有益效果：当浪涌事件发生时，触发通道先发生击穿，浪涌电流经过多晶电阻、外部电路控制单元泄放到地；同时，电流在多晶电阻上产生的压降作用于第一栅极，当压降大于器件阈值电压时，器件导通，将后续浪涌电流泄放至地，从而将浪涌防护功能和器件本身的防烧功能集成于同一个芯片上，实现一芯多用，节约芯片面积，减小封装尺寸，降低成本。

本发明授权一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽型功率半导体器件，包括第一栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括： 第二栅极，所述第二栅极连接至外部电路控制单元，用于接收第一控制信号； 多晶电阻，形成于所述第一栅极和所述第二栅极之间，用于根据所述第一控制信号和浪涌电流中的至少一个在所述多晶电阻上产生的压降于所述第一栅极处生成第二控制信号，以根据所述第二控制信号控制屏蔽栅沟槽型功率半导体器件的通断状态； 触发通道，形成于所述漏极和所述第一栅极之间，所述触发通道的击穿电压小于器件击穿电压，用于在所述漏极的浪涌电压超过所述触发通道的击穿电压但未超过所述器件击穿电压时，所述浪涌电流自所述漏极依次通过所述触发通道、所述多晶电阻和所述外部电路控制单元泄放至地； 第一导电类型的衬底，所述衬底至少包括元胞区及位于所述元胞区外围的外围区； 第一导电类型的外延层，形成于所述衬底的上表面； 第二导电类型的体区，形成于所述外延层中； 第一导电类型的注入区，形成于所述体区中； 第一导电类型的深阱区，形成于所述外延层中，且所述深阱区位于外围区的所述体区的下方； 第一导电类型的第二孔注入区，形成于所述深阱区上方的体区中，且所述第二孔注入区位于所述注入区的下方； 介质层，形成于所述外延层的上表面，所述介质层中刻蚀有多个接触孔，所述多个接触孔包括与元胞区第一栅极多晶硅层对应的第一栅极引出孔、与外围区第一栅极多晶硅层对应的第二栅极引出孔、与屏蔽栅多晶硅层对应的屏蔽栅引出孔以及与注入区对应的多个源极引出孔；所述多晶电阻为所述第一栅极引出孔和所述第二栅极引出孔之间的第一栅极多晶硅层所形成的电阻； 正面金属层，形成于所述介质层的上表面，且填充于所述接触孔中，所述正面金属层包括第一栅极金属区、第二栅极金属区、源极金属区，所述第一栅极金属区与元胞区第一栅极多晶硅层欧姆接触，所述第二栅极金属区与外围区第一栅极多晶硅层欧姆接触，所述源极金属区与屏蔽栅多晶硅层和注入区欧姆接触； 背面金属层，形成于所述衬底的下表面，所述背面金属层作为器件漏极。

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