买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610050736.2，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构是由许一力;任娜;丁金超;杨琦;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化镓晶体管技术领域，且公开了一种碳化硅‑氮化镓异构集成高压功率器件结构，包括由若干相互并列的MOS元胞组成的碳化硅器件，和由两个GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；单个所述MOS元胞包括半导体外延层、MOS源极、MOS栅极以及覆盖在MOS栅极表面的MOS介质层；其中，所述半导体外延层从上向下分别包括有N衬底层和N扩散层。本发明通过将GaNHEMT的横向高电子迁移率特性与SiCMOSFET的纵向耐压优势相结合，在单一衬底上实现了两种宽禁带半导体的协同工作，该结构有效利用了SiC衬底的优异导热与耐压性能作为共同载体，同时通过器件级的串联耐压设计，使得整体击穿电压显著提升。

本发明授权一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构，其特征在于，包括由若干相互并列的MOS元胞1组成的碳化硅器件，和由两个GaN结构2组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面； 单个所述MOS元胞1包括半导体外延层、MOS源极101、MOS栅极102以及覆盖在MOS栅极102表面的MOS介质层103； 其中，所述半导体外延层从上向下分别包括有N衬底层107和N扩散层106；所述N扩散层106的内部且位于相邻两个MOS元胞1之间通过离子注入形成有P阱层一104，单个所述P阱层一104的内部通过离子注入形成两个互不接触的N阱层105； 单个所述GaN结构2从下向上依次包括缓冲层201、GaN通道层202、AlGaN势垒层204、覆盖介质层207以及GaN栅极205； 其中，相邻两个所述GaN结构2之间沉积有两个独立的阻隔介质层208，并且两个所述阻隔介质层208分别与两个GaN结构2上的缓冲层201、GaN通道层202直接接触； 相邻两个所述GaN结构2之间还沉积有GaN源极206；单个所述GaN结构2上且位于远离GaN源极206的一侧沉积有GaN漏极203。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇盈钱路13号钱江电气智联科创园5幢201-203室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。