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龙图腾网获悉江西兆驰集成科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610077889.6，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED是由郑文杰;王小兰;敖应权;舒俊;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。绿光Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一应力平衡层、非掺杂GaN层、第二应力平衡层、N型GaN层、电子调控层、多量子阱层和P型GaN层；其中，所述第一应力平衡层为Ga极性AlGaN层；所述第二应力平衡层包括交替层叠的N极性GaN层和N极性AlGaN层；所述电子调控层包括交替层叠的Ga极性N型AlInGaN层和Ga极性N型GaN层。实施本发明，可提升绿光Micro‑LED的发光效率和发光均匀性。

本发明授权绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在权利要求书中公布了：1.一种绿光Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、第一应力平衡层、非掺杂GaN层、第二应力平衡层、N型GaN层、电子调控层、多量子阱层和P型GaN层； 其中，所述第一应力平衡层为Ga极性AlGaN层，其厚度为10nm~100nm，Al组分的占比为0.01~0.2；所述第二应力平衡层包括交替层叠的N极性GaN层和N极性AlGaN层，所述N极性AlGaN层中Al组分的占比为0.01~0.15；所述电子调控层包括交替层叠的Ga极性N型AlInGaN层和Ga极性N型GaN层； 其中，所述衬底为蓝宝石衬底； 所述缓冲层为AlN层，其通过PVD生长；生长完成后在1000℃~1100℃下，H2、N2和NH3的混合气体气氛中热处理；其中，H2、N2和NH3的体积比为1:0.5:1~1:1:2；所述缓冲层的厚度≤20nm； 沿绿光Micro-LED外延片生长方向，所述Ga极性AlGaN层中Al组分呈递增变化，所述Ga极性N型AlInGaN层中Al组分呈递增变化。

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