恒泰柯半导体(上海)有限公司罗志云获国家专利权
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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121680558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610189771.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法及系统是由罗志云;潘梦瑜;王飞设计研发完成，并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法及系统，在栅介质内部嵌入温度自适应浮栅单元，该单元与主沟道保持热耦合但电学隔离，其电荷变化规律与界面态弛豫过程具有匹配的热力学特性；同时，施加特定组合的双频段栅极偏置信号，通过高频分量激发的局域电磁场加速界面电荷重分布，低频分量实现沟道电势的动态锚定；再辅以分布式的热‑电协同校准节点进行实时补偿；有效消除了界面态电荷弛豫引起的阈值电压路径依赖性，显著缩短了温度变化后的稳定时间，使MOSFET在宽温域范围内实现了阈值电压的稳定控制，为低温电子系统提供了可靠的器件基础。
本发明授权宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种宽温域MOSFET阈值电压稳定化方法，其特征在于，包括：在硅衬底表面构建纵向与横向硼浓度梯度分布的沟道结构，于沟道结构表面形成由氧化铝、氧含量渐变的二氧化硅和氧化镧组成的非对称栅介质叠层；向非对称栅介质叠层施加15kHz低频与120MHz高频的双频段栅极偏置信号；在沟道与栅介质界面处植入锗组分渐变的硅锗缓冲层，向硅锗缓冲层两侧注入磷离子，形成沟道侧壁电荷补偿区域；将镍铬合金浮栅单元嵌入栅介质内部，浮栅单元连接至栅极反馈电路于芯片四角位置设置校准节点，每个校准节点集成加热器、温度传感器和MOSFET传感单元；用含氮气与氢气混合物的密封腔体封装校准节点与MOSFET结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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