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龙图腾网获悉成都晶宝时频技术股份有限公司申请的专利一种晶体谐振器的无调频制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121690105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610187238.2，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种晶体谐振器的无调频制备方法是由杨清明;黄建友;唐浚淇设计研发完成，并于2026-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体谐振器的无调频制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体谐振器的无调频制备方法，属于电子元器件领域，包括以下步骤：S0，晶片安装在晶体谐振器溅射镀膜装置中后并置于磁控溅出机内；S1，镀膜，膜层目标厚度为100nm~200nm，膜层由过渡层和金层组成，其中，过渡层目标厚度为5nm~15nm；S3，分割晶片，形成裸晶振芯片；S4，组装、点胶与贴片；S5，固化，固化在固化炉中进行；S6，引线键合与封焊；S7，最终电性能测试；S8，激光打标；S9，初次编带；S10，检查打标标记；S11，继续编带；S12，包装。本发明解决了高频晶体谐振器因晶片厚度过小而在现有的晶体谐振器溅射镀膜装置中存在的电极扩散问题。

本发明授权一种晶体谐振器的无调频制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体谐振器的无调频制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S0，晶片1安装在晶体谐振器溅射镀膜装置中后并置于磁控溅出机内； S1，镀膜，膜层目标厚度为100nm~200nm，膜层由过渡层和金层组成，其中，过渡层目标厚度为5nm~15nm； S3，分割晶片1，形成裸晶振芯片； S4，组装、点胶与贴片； S5，固化，固化在固化炉中进行； S6，引线键合与封焊； S7，最终电性能测试； S8，激光打标； S9，初次编带； S10，检查打标标记； S11，继续编带； S12，包装； 所述晶体谐振器溅射镀膜装置顺次包括底板、下电极掩模板2、定位板3、上电极掩模板5和磁性盖板，定位板3上设置有晶片定位凹槽4，所述晶片1安装在晶片定位凹槽4中，上电极掩模板5与下电极掩模板2上均设置有电极孔7，定位板3厚度记为h定，上电极掩模板5与下电极掩模板2两块板中，至少有一块板的与晶片1面对的一面设置有避免镀膜时电极粒子扩散的阻散凸起，阻散凸起的大小与晶片定位凹槽4的大小相匹配，阻散凸起组装时位于晶片定位凹槽4内，晶片1厚度记为h晶，0.017mm≤h晶h定； 当所述阻散凸起为上电极阻散凸起8时，上电极阻散凸起8位于上电极掩模板5上，上电极阻散凸起8的厚度记为h上，h上+h晶=h定；或 当所述阻散凸起为下电极阻散凸起9时，下电极阻散凸起9位于下电极掩模板2上，下电极阻散凸起9的厚度记为h下，h下+h晶=h定；或 当所述阻散凸起包括上电极阻散凸起8和下电极阻散凸起9时，上电极阻散凸起8位于上电极掩模板5上，上电极阻散凸起8的厚度记为h上，下电极阻散凸起9位于下电极掩模板2上，下电极阻散凸起9的厚度记为h下，h上+h下+h晶=h定。

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