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龙图腾网获悉湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利GGNMOS静电防护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110774823.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权GGNMOS静电防护器件及其制作方法是由董鹏;张玉叶;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本GGNMOS静电防护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种GGNMOS静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱；第一N型深阱、第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区；第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，第一NMOS的漏区被加宽；第一N型深阱、第二N型深阱以及第一N+注入区、第四N+注入区与N型埋层构成N型隔离带；P型半导体衬底与第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，第一NMOS的漏区与第一N型深阱、第二N型深阱上的第一N+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；第一NMOS的栅区位于第二N+与第三N+注入区之间；第一NMOS的栅区接第一PMOS和电容C以及反相器的耦合电路。

本发明授权GGNMOS静电防护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GGNMOS静电防护器件，其特征在于，包括： P型衬底； 所述P型衬底中设有N型埋层； 所述N型埋层上方有第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱； 所述第一N型深阱、所述第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区； 所述第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，所述第一NMOS的漏区被加宽； 所述第一N型深阱、所述第二N型深阱以及所述第一N+注入区、所述第四N+注入区与所述N型埋层构成N型隔离带； 所述P型半导体衬底与所述第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，所述第一NMOS的漏区与所述第一N型深阱、所述第二N型深阱上的所述第一N+注入区、所述第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极； 所述第一NMOS的栅区位于第二N+与第三N+注入区之间； 所述第一NMOS的栅区接第一PMOS和电容C以及反相器的耦合电路；所述第二N+注入区和所述第三N+注入区之间是由所述第一NMOS的栅区隔开，在其他注入之间从左至右依次生成第一场氧隔离区、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区以及第五场氧隔离区。

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