意法半导体(克洛尔2)公司F·罗伊获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116170707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211485514.1,技术领域涉及:H04N25/78;该发明授权图像传感器是由F·罗伊;T·达洛设计研发完成,并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器在说明书摘要公布了:本公开的各实施例总体上涉及图像传感器。一种图像传感器包括像素阵列,其中每个像素形成在衬底的与衬底的其他部分电绝缘的部分中。每个像素包括光电检测器;传输晶体管;以及包括一个或多个晶体管的读出电路。读出电路的晶体管形成在该部分的至少一个阱的内部和之上。从当前行的像素的光电检测器进行读取使用至少一个前一行的像素的读出电路的至少一个晶体管,前一行的像素的阱以第一电压被偏置,该第一电压大于当前行的像素的阱的第二偏置电压。
本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种图像传感器,包括: 像素阵列,包括多个像素; 其中所述像素阵列中的每个像素形成在衬底的与所述衬底的其他部分电绝缘的部分中; 其中每个像素包括:光电检测器;传输晶体管;以及包括一个或多个晶体管的读出电路; 其中所述读出电路的所述一个或多个晶体管形成在所述部分的至少一个阱的内部和之上; 其中至少一个前一行的像素的所述读出电路的至少一个晶体管被配置用于从当前行的像素的所述光电检测器进行读取; 其中所述至少一个前一行的所述像素的所述阱以第一偏置电压被偏置;以及 其中所述当前行的所述像素的所述阱以第二偏置电压被偏置,所述第一偏置电压大于所述第二偏置电压。
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