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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211628128.3，技术领域涉及：H01M8/103；该发明授权一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法是由邵志刚;任志伟;赵云设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于燃料电池材料技术领域，特别涉及一种含硅氧网络阴离子交换膜的制备方法，其步骤如下：1聚芳基哌啶聚合物的制备；2碘甲基三甲氧基硅烷的制备；3硅氧烷的修饰；4阴离子交换膜的制备；5硅氧烷的水解。本发明中硅氧烷可以水解成含羟基的硅氧网络结构，提高膜的保水能力，提升膜在低湿或高电流密度等缺水条件下的化学稳定性。同时，通过改变硅氧烷的水解条件，控制含羟基硅氧网络的结构，进而调控水合离子通道，优化膜的离子传输速率，使膜具有较高的离子传导率，在阴离子交换膜燃料电池领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种含硅氧网络阴离子交换膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含硅氧网络阴离子交换膜，其特征在于，所述阴离子交换膜为聚芳香基哌啶共聚物，其结构如通式所示： 其中，Ar为以下单体中任意一种，或者采用以下任意至少两种单体共聚； R选自以下结构； 所述的硅氧网络阴离子交换膜的制备方法，包括如下步骤： 1碘硅氧烷化合物的制备 将氯硅氧烷化合物溶解在乙腈中，加入碘化钠，在90-110℃回流24-48h；随后通过旋蒸除去乙腈，剩余溶液通过减压蒸馏分离得到碘硅氧烷化合物； 其中，所述氯硅氧烷化合物为氯甲基三甲氧基硅烷、氯甲基二甲氧基甲基硅烷和氯甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种；所述碘硅氧烷化合物为碘甲基三甲氧基硅烷、碘甲基二甲氧基甲基硅烷、碘甲基甲氧基二甲基硅烷中的至少一种； 2硅氧烷的修饰 将聚芳基哌啶聚合物溶解在二甲基亚砜中，加入步骤1所得的碘硅氧烷化合物，控制温度在50-100℃，季铵化反应进行24-72h，反应结束后，得到了硅氧烷修饰的聚芳基哌啶聚合物溶液； 3阴离子交换膜的制备 将步骤2中所得的聚合物溶液用二甲基亚砜稀释，稀释后聚合物溶液浓度为2-20wt%，充分混合均匀后倒入模具中浇铸或刮涂，干燥成膜后得到季铵化的硅氧烷修饰的聚芳基哌啶阴离子交换膜； 4硅氧烷的水解 将步骤3中所得的阴离子交换膜浸泡在氢氧化钾溶液或饱和碳酸钾溶液中，60-100℃水解反应1-5h，反应结束后，得到了含硅氧网络的哌啶季铵盐阴离子交换膜。

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