中电化合物半导体有限公司薛卫明获国家专利权
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龙图腾网获悉中电化合物半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310297335.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体生长装置及生长方法是由薛卫明;马远;潘尧波设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本发明提一种碳化硅晶体生长装置及生长方法，具体涉及碳化硅晶体生长领域。本发明的碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、籽晶托盘、至少一层惰性金属网和底盘；坩埚与第一电源的正极或负极电连接，坩埚包括用于放置碳化硅原料的第一区域；籽晶托盘设置在坩埚的上方；至少一层惰性金属网，通过电极杆设置在所述第一区域与所述籽晶托盘之间，且电极杆与第二电源的正极或负极电连接；底盘设置在所述坩埚的下方，底盘与第三电源的正极或负极电连接；其中，坩埚与所述第一电源、电极杆与第二电源及底盘与第三电源中至少一项导通。采用本发明的碳化硅晶体生长装置可以防止碳颗粒进入碳化硅晶体内，影响碳化硅晶体的质量。
本发明授权一种碳化硅晶体生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚，与第一电源的正极或负极电连接，所述坩埚包括用于放置碳化硅原料的第一区域； 籽晶托盘，设置在所述坩埚的上方； 至少一层惰性金属网，通过电极杆设置在所述第一区域与所述籽晶托盘之间，且所述电极杆与第二电源的正极或负极电连接； 底盘，设置在所述坩埚的下方，所述底盘与第三电源的正极或负极电连接； 其中，所述坩埚与所述第一电源、所述电极杆与所述第二电源及所述底盘与所述第三电源中至少一项导通。
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