利亚德光电股份有限公司杨晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉利亚德光电股份有限公司申请的专利LED芯片及用于制备LED芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310316581.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权LED芯片及用于制备LED芯片的方法是由杨晓宇;马莉;卢长军设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED芯片及用于制备LED芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED芯片及用于制备LED芯片的方法。其中，该LED芯片包括：由下到上依次设置的基底，保护层，有源层，传输单元，其中，传输单元包括p型传输单元和n型传输单元，p型传输单元包括p型传输层和位于p型传输层远离有源层的一侧的第一导电层，p型传输层通过第一导电层与第一电极电连接，n型传输单元包括n型传输层和位于n型传输层远离有源层的一侧的第二导电层，n型传输层通过第二导电层与第二电极电连接。
本发明授权LED芯片及用于制备LED芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管LED芯片，其特征在于，包括：由下到上依次设置的基底，保护层，有源层，传输单元，其中，所述传输单元包括p型传输单元和n型传输单元，所述p型传输单元包括p型传输层和位于所述p型传输层远离所述有源层的一侧的第一导电层，所述p型传输层通过所述第一导电层与第一电极电连接，所述n型传输单元包括n型传输层和位于所述n型传输层远离所述有源层的一侧的第二导电层，所述n型传输层通过所述第二导电层与第二电极电连接； 其中，所述p型传输单元为多个，以及所述n型传输单元为多个，其中，多个所述p型传输单元和多个所述n型传输单元交替设置； 其中，在交替设置的所述多个p型传输单元和所述多个n型传输单元中，相邻的两个所述p型传输单元共用两者中间的所述n型传输单元，相邻的两个所述n型传输单元共用两者中间的所述p型传输单元。
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