复旦大学朱国栋获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310300054.9，技术领域涉及：G01V3/08；该发明授权一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法是由朱国栋设计研发完成，并于2023-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子技术信息传感技术领域，具体为一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法。将压电电容与晶体管结合构建压电晶体管器件实现接近传感与接触传感二合一功能集成。然而压电晶体管工作时无法有效区分传感信号来源。本发明提出结合双栅晶体管与压电电容构建具有拓展栅结构的双栅压电晶体管接近接触双模式传感器件，压电电容作为接近和接触信号的传感端。压电电容器件顶电极与双栅晶体管栅极电连接且两者通过开关电路与地连接，压电电容器件的另一电极则与晶体管另一栅极连接。通过开关电路周期性开关过程中接近传感与接触传感源漏电流信号响应规律的差异，实现接近传感和接触传感信号的有效区分。
本发明授权一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法在权利要求书中公布了：1.一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法，其特征在于，首先，构建具有拓展栅结构的双栅压电晶体管接近和接触双模式传感器件，具体是将双栅晶体管与压电电容组合，将压电电容作为接近和接触信号的传感端；然后，对双模式传感器工作过程中接近和接触信号进行识别；其中： 所述双栅晶体管，由第一栅极、第二栅极、源极、漏极、第一栅介质、第二栅介质和半导体构成； 所述压电电容，由第一电极、压电体、第二电极构成，其中压电电容器件中靠近带电目标物的电极定义为第一电极； 压电电容第一电极与双栅晶体管第一栅极电连接，且两者经由开关电路与地电连接；压电电容第二电极与双栅晶体管第二栅极连接；双栅晶体管源极接地，漏极接直流偏压，源漏电流由电流测量设备测量并记录； 所述开关电路的开态定义为第一栅极和第一电极不与地连接，开关电路的关态是指第一栅极与第一电极与地电连接。
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