圣邦微电子(北京)股份有限公司刘阳获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116418207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643137.5，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路是由刘阳;于翔设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路在说明书摘要公布了：采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路，通过在原有上钳位电压基础上叠加一个因斜坡补偿电流而形成的斜坡补偿叠加量一起作用到钳位节点上以形成动态钳位，有利于保证BOOST最大峰值电流不受影响，实现BOOST变换器有效限流值不随占空比变化的效果。
本发明授权采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路在权利要求书中公布了：1.采用动态钳位使BOOST限流值不随占空比变化的电路，其特征在于，包括控制脉宽调制比较器开关的采样节点和钳位节点，所述钳位节点第一路连接脉宽调制比较器的负向输入端，第二路连接误差放大器的输出端，第三路分别连接第四PMOS管的源极和第一运算放大器的负向输入端，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的栅极连接所述第一运算放大器的输出端，所述第一运算放大器的正向输入端连接第二节点，所述第二节点第一路连接斜坡补偿电流电路，第二路通过第二电阻R2分别连接第二运算放大器的正向输入端和第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极连接所述第二运算放大器的输出端，所述第二运算放大器的负向输入端连接上钳位电压端； 所述采样节点第一路连接所述脉宽调制比较器的正向输入端，第二路通过下管电流采样端连接电源电压端，BOOST下管采样电流流入所述采样节点，第三路连接斜坡补偿电流电路，斜坡补偿电流流入所述采样节点，第四路通过第三电阻R3接地。
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