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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116453952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310440481.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法是由徐海铭设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法，属于MOSFET制备领域，包括如下步骤：提供衬底，在其表面形成外延层；按照P阱光罩的图形制作形成P阱；根据器件要求制作N+源端和P+体接触端；根据器件要求形成多晶栅控制端；进行金属Ti‑TiN‑Al组合层淀积工艺；按照器件功能和激光束要求制作金属光罩的图形第一Mask和第二Mask；提出金属腐蚀两步腐蚀工艺，形成激光模拟单粒子所需器件。本发明采用干法+湿法两步金属腐蚀，下层金属保留，使得所有N+源端和P+体接触端都能得到充分利用，可以同时覆盖条形栅、六边栅、品字栅等所有器件设计结构，不受限制。

本发明授权一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种应用在激光模拟单粒子效应的器件制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在其表面形成外延层； 按照P阱光罩的图形制作形成P阱； 根据器件要求制作N+源端和P+体接触端； 根据器件要求形成多晶栅控制端； 进行金属Ti-TiN-Al组合层淀积工艺； 按照器件功能和激光束要求制作金属光罩的图形第一Mask和第二Mask； 提出金属腐蚀两步腐蚀工艺，形成激光模拟单粒子所需器件； 所述按照P阱光罩的图形制作形成P阱包括： 向P阱光罩的图形内注入P型杂质并进行高温退火处理；其中， 所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为1E12-1E14cm-2，能量为50-100Kev； 根据器件要求制作N+源端和P+体接触端包括： 在制备N+源端的位置进行N型杂质注入，注入剂量为5E14-1E16cm-2，能量为50-80Kev，注入完成后进行高温退火处理，形成N+源端；所述N型杂质包括P、As和In； 在制备P+体接触端的位置进行P型杂质注入，注入剂量为5E14-5E15cm-2，能量为50-100Kev，注入完成后进行高温退火处理，形成P+体接触端；所述P型杂质包括B、BF2； 根据器件要求形成多晶栅控制端包括： 在表面进行氧化形成二氧化硅层，其生长温度为800℃-1050℃，厚度为30nm-1000nm；在所述二氧化硅层表面进行多晶硅淀积形成多晶层； 对二氧化硅层和多晶层进行光刻和腐蚀，露出N+源端和P+体接触端，保留其他区域的二氧化硅层和多晶层形成多晶栅控制端； 提出金属腐蚀两步腐蚀工艺，形成激光模拟单粒子所需器件包括： 第一步采用普通金属光罩图形第一Mask，进行干法腐蚀完成金属Ti-TiN-Al组合层腐蚀，形成功率器件完整功能的金属接触； 第二步采用激光金属光罩图形第二Mask，进行湿法腐蚀方法，采用HCL稀盐酸，只会腐蚀所述金属Ti-TiN-Al组合层中的Al，腐蚀停留在TiN，顶部的厚金属Al断开有间距，形成激光模拟单粒子所需芯片位置，用于激光照射。

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