无锡研谱智能科技有限公司魏明军获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡研谱智能科技有限公司申请的专利一种太阳能电池硅片涡流传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310276406.1，技术领域涉及：G01N27/90；该发明授权一种太阳能电池硅片涡流传感器是由魏明军设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池硅片涡流传感器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种太阳能电池硅片涡流传感器，涉及涡流传感器技术领域；包括单片机以及和单片机连接的红外测温仪和探头检测组件；单片机，用于获取传感器探头温度和待测电池硅片的目标温度，以及待测电池硅片的多个第一方阻，还用于根据传感器探头温度和传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个第一方阻进行修正，获得与各个第一方阻对应的第二方阻，并根据目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个第二方阻进行修正，获得与各个第二方阻对应的第三方阻，并计算各个第三方阻的平均值，得到对应的目标方阻；能够准确测出探头温度与目标温度两类温度,并各自分别进行补偿,解决方阻的测量值在生产线上重复性差的问题。
本发明授权一种太阳能电池硅片涡流传感器在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池硅片涡流传感器，其特征在于，包括单片机以及和所述单片机连接的红外测温仪和探头检测组件； 所述红外测温仪，用于监测待测电池硅片的目标温度，并将所述目标温度传输至所述单片机，所述待测电池硅片为太阳能电池硅片； 所述探头检测组件，用于监测获得传感器探头温度和第一方阻，并将所述传感器探头温度和所述第一方阻传输至所述单片机； 所述单片机，用于获得所述传感器探头温度、所述待测电池硅片的目标温度以及所述待测电池硅片的多个第一方阻，根据所述传感器探头温度和所述传感器探头温度对应的预置探头温度补偿模型对每个所述第一方阻进行修正，得到多个第二方阻，并根据所述目标温度和目标温度对应的预置硅片温度补偿模型对每个所述第二方阻进行修正，得到多个第三方阻，并计算各个所述第三方阻的平均值，得到目标方阻； 其中，预置硅片温度补偿模型基于硅片温度修正系数表建立。
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