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龙图腾网获悉长春长光奥闰光电科技有限公司申请的专利sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116647768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310626885.5，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法是由张恒;曹景太设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法，包括：制备四层高速真空压合柔性线路板，其由上至下包括控制信号层、电源回路层、分割电源层、高速LVDS图像数据传输层；在真空密闭腔体的底盘上开设一个狭缝，四层高速真空压合柔性线路板的中段贯穿狭缝并且与狭缝之间密封；将sCMOS图像传感器与四层高速真空压合柔性线路板的前段连接；将高速高密矩形连接器与四层高速真空压合柔性线路板的后段连接；在真空状态下将真空密闭腔体的上盖与底盘安装固定并密封。本发明能够保证真空腔体的长期可靠性、降低潜在漏点数量，同时具有体积小、空间利用率高、多信号高质量传输、结构简单、可靠性高、维护升级成本低等优点。

本发明授权sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法在权利要求书中公布了：1.一种sCMOS图像传感器多种类信号跨真空整合传输的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：制备四层高速真空压合柔性线路板2，所述四层高速真空压合柔性线路板2在堆叠结构层次上由上至下依次包括控制信号层2-1、电源回路层2-2、分割电源层2-3、高速LVDS图像数据传输层2-4，各层之间采用真空压合工艺堆叠压合，并在堆叠压合后的上表面和下表面分别覆盖一层电磁屏蔽膜2-5；在连接次序结构上，所述四层高速真空压合柔性线路板2分为与所述sCMOS图像传感器1电气连接的前段、与高速高密矩形连接器3连接的后段以及用于将信号从所述sCMOS图像传感器1传输至所述高速高密矩形连接器3的中段； 步骤二：在真空密闭腔体4的底盘上开设一个狭缝，所述四层高速真空压合柔性线路板2的中段贯穿所述狭缝并且与狭缝之间密封； 步骤三：将所述sCMOS图像传感器1与所述四层高速真空压合柔性线路板2的前段连接，且二者位于所述真空密闭腔体4内；将所述高速高密矩形连接器3与所述四层高速真空压合柔性线路板2的后段连接，且二者位于所述真空密闭腔体4的外部； 步骤四：在真空状态下将所述真空密闭腔体4的上盖与底盘安装固定并密封。

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