武汉光迅科技股份有限公司赵建宜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种新型结构的激光器芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116845696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310748312.X，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种新型结构的激光器芯片及其制作方法是由赵建宜;岳玉环;史正康;何伟奇;张栩誌;张旭设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型结构的激光器芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器芯片技术领域，提供了一种新型结构的激光器芯片及其制作方法。其中所述激光器芯片包括光栅层和生长在所述光栅层上的一个或多个功能层；所述光栅层刻蚀有多个光栅槽，以形成布拉格光栅，所述光栅槽下方保留有光栅层的部分结构；其中，所述光栅槽是由在所述一个或多个功能层上光刻图形，并在所述光刻图形位置进行腐蚀得到的。本发明利用腐蚀特性，剔除了抗蚀层，通过保留的部分结构维持激光器芯片的完整性，从而在形成布拉格光栅结构的同时，降低激光器芯片的内部的热效应，从而提高激光器的带宽和性能。
本发明授权一种新型结构的激光器芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种新型结构的激光器芯片制作方法，其特征在于，预先在光栅层1上生长一个或多个功能层2，方法包括： 基于定义好的光刻图形，对各功能层2表面进行刻蚀，刻蚀贯穿所有功能层2，形成腐蚀槽； 从所述腐蚀槽注入腐蚀液，使用所述腐蚀液对所述光栅层1进行腐蚀得到光栅槽11； 其中，根据所需腐蚀液的体积、所述光刻图形的面积，确定达到所需腐蚀液体积所需的凹槽深度，以所述凹槽深度作为所有功能层2的厚度，从而使所述各功能层2在刻蚀掉光刻图形位置后所形成的凹槽恰好用于控制腐蚀液的用量，从而在实际的芯片制作过程中，仅需向所述凹槽内倾倒满凹槽的腐蚀液，即可实现刻蚀得到的光栅槽11深度的控制。
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