中国人民解放军国防科技大学吴坚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利可饱和吸收器件、制备方法及低阈值启动脉冲锁模激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116865083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310965241.9，技术领域涉及：H01S3/1118；该发明授权可饱和吸收器件、制备方法及低阈值启动脉冲锁模激光器是由吴坚;俞强;杨子鑫;邓海芹;李杰;许将明;冷进勇;姜宗福;周朴设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本可饱和吸收器件、制备方法及低阈值启动脉冲锁模激光器在说明书摘要公布了：本发明提出一种可饱和吸收器件、制备方法及低阈值启动脉冲锁模激光器，通过化学气相输运的方法制备定向生长高质量铋铜硒氧单晶，将高质量铋铜硒氧单晶简便地制成可饱和吸收器件能够应用于脉冲锁模激光器，可产生超短脉冲激光输出，具有较高的稳定性和信噪比，尤其启动阈值较低。
本发明授权可饱和吸收器件、制备方法及低阈值启动脉冲锁模激光器在权利要求书中公布了：1.可饱和吸收器件制备方法，其特征在于，包括： 1按重量份准备材料，将由10份三氧化二铋粉末、1份铜粉末和若干KCl粉末混合而成的混合源置于管式炉中； 2将新鲜解理的云母衬底放置在混合源的正上方，以便实现铋铜硒氧纳米片的生长； 3另取5份三硒化二铋放置在混合源位置上游且距离混合源一定距离的管式炉高温段； 4将管式炉高温段加热至能使使三硒化二铋挥发裂解的温度，保持数分钟，然后随炉降温至室温； 5将云母衬底以及生长在云母衬底上的铋铜硒氧纳米片取出； 6将云母衬底上生长的铋铜硒氧纳米片转移到单模光纤跳线的端面且对准单模光纤跳线其端面的纤芯位置，完成可饱和吸收器件的制备。
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