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龙图腾网获悉龙口市比特真空技术有限公司申请的专利一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117626210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311754691.X，技术领域涉及：C23C14/48；该发明授权一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法是由王桂岳;赵松强;王可峰;王同泉设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及涂层制备领域，公开了一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法，包括以下步骤：S1：离子注入混合层：采用离子注入技术在制备元器件表面结合层，注入元素为Cu、Ni、Cr、Ag金属元素，通过采用离子注入Cu、Ni、Cr、Ag金属元素在电子元器件表面形成一层均匀且结合力强的混合层，以及高功率脉冲磁控溅射技术在基底上形成致密的薄膜可极大的提高涂层的结合强度与致密性，在此基础上，通过高功率磁控制备导电层以及高功率脉冲磁控溅射技术进行防腐蚀层沉积，以此方法制备的涂层结合力以及抗腐蚀能力强，且不受多弧离子镀沉积温度高、成膜过程中颗粒大影响电子元器件的质量问题。

本发明授权一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种海洋环境下电子元器件耐腐蚀涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：离子注入混合层：采用离子注入技术在制备元器件表面结合层，注入元素为Cu、Ni、Cr、Ag金属元素，这些离子具有较高的能量，能够穿透元器件表面的原子层，与元器件基体原子发生相互作用，形成较强的化学键合，从而在元器件表面下方形成一层均匀的混合层，注入电压3kV-10kV，弧流为40A-90A，束流为3-8mA，使元器件表面形成一层均匀且结合力强的混合层； S2：高功率磁控溅射层：采用高功率脉冲磁控溅射技术进行表面溅射轰击，所选靶材为Cu靶，Cu靶材在高压脉冲放电作用下，能够产生大量的溅射粒子，这些粒子具有较高的能量，能够在基底上形成致密的薄膜，Ar气流量为80-200sccm，功率为3-5kW，频率50-300Hz，负偏压为800V、600V、400V各溅射30s，使得溅射过程更加均匀且效果更佳； S3：高功率磁控制备导电层：采用高功率脉冲磁控溅射技术进行表面导电层沉积，所选靶材为Cu靶，Ar气流量为80-200sccm，功率为3-5kW，频率50-300Hz，负偏压为50V，沉积厚度1-5μm，使元器件表面混合层的基础上再形成一层具有良好导电性能的涂层； S4：高功率磁控沉积抗腐蚀导电层：采用高功率脉冲磁控溅射技术进行防腐蚀层沉积，采用拼接把方式进行高熵靶材制备，通过拼接把方式，可以将多种金属元素或其合金结合在一起，这些元素在防腐蚀性能上具有互补作用，能够提高防腐蚀层的整体性能，元素间的相互作用会减弱单一元素的不良性能，同时提高整体的性能，每个金属条宽度尺寸为2cm，拼接金属为Cu、Ti、Al、V、Ag、Cr、Ni金属元素或其合金的任意3-5种，靶材自转速度5-10radmin，Ar气流量为100-500sccm，功率为3-5kW，频率50-300Hz，负偏压为50V，沉积厚度20-100nm。

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