中国科学院近代物理研究所张宏斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院近代物理研究所申请的专利一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117702066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311653066.6，技术领域涉及：C23C14/46；该发明授权一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法是由张宏斌;刘凤琼;卢子伟;陈若富设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法，所述安装底座包括绝缘底座、高压电极盘和核靶座，绝缘底座设置为筒形，其侧壁顶部开设有外轨道槽，绝缘底座的侧壁上开设有通孔；高压电极盘设置为筒形，高压电极盘套设在绝缘底座中；高压电极盘的侧壁顶部开设有内轨道槽，高压电极盘的侧壁上开设有高压接头孔，高压接头穿过通孔插入高压接头孔内；核靶座用于安装核靶和石墨锅，核靶座通过外轨道槽和内轨道槽滑入安装在高压电极盘内；其核靶座可以沿外轨道槽和内轨道槽放入高压电极盘中或从高压电极盘中取出，从而便于安装同位素材料和核靶，减少同位素材料和核靶的安装工作量，简化操作，减少每批高熔点同位素核靶的制备周期。
本发明授权一种高熔点同位素核靶安装底座及其安装方法在权利要求书中公布了：1.一种高熔点同位素核靶安装底座，其特征在于，包括： 绝缘底座1，设置为筒形，其侧壁顶部开设有外轨道槽110，所述绝缘底座1的侧壁上开设有通孔120； 高压电极盘2，设置为筒形，所述高压电极盘2套设在所述绝缘底座1中；所述高压电极盘2的侧壁顶部开设有内轨道槽210，所述高压电极盘2的侧壁上开设有高压接头孔220，高压接头130穿过所述通孔120插入所述高压接头孔220内； 核靶座3，用于安装核靶310和石墨锅320，所述核靶座3通过所述外轨道槽110和所述内轨道槽210滑入安装在所述高压电极盘2内； 所述绝缘底座1的侧壁上开设有三个螺孔，三个所述螺孔沿同一圆周均匀分布；所述螺孔内螺纹连接有调节螺杆140，三个所述调节螺杆140用于调节所述高压电极盘2在所述绝缘底座1中的位置。
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