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龙图腾网获悉清华大学申请的专利带隙基准电压源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120066187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510192167.0，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权带隙基准电压源电路是由魏琦;周斌;王劝善;马滕显设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙基准电压源电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种带隙基准电压源电路，包括启动电路、核心电路及电流补偿电路。核心电路包括第一NMOS管、第一和第二三极管、第一运放、第一至第三电阻及补偿电阻，第一NMOS管的漏极接入电源，源极与第一电阻的第一端、第一三极管的基极及第二三极管的集电极相连，栅极与第一运放的输出端相连；第一电阻的第二端与第一三极管的集电极及第二三极管的基极连接，第一电阻的第一端作为核心电路的输出端；第一三极管的发射极与第二电阻的第一端及第一运放的同向输入端相连；第二三极管的发射极与第三电阻的第一端及第一运放的反向输入端相连；第二电阻的第二端与第三电阻的第二端分别与补偿电阻的第一端及电流补偿电路的输出端相连，补偿电阻的第二端接地。

本发明授权带隙基准电压源电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电压源电路，其特征在于：包括启动电路、带隙基准核心电路及电流补偿电路，所述启动电路用于使所述带隙基准核心电路摆脱亚稳态；所述带隙基准核心电路用于产生基准电压；所述电流补偿电路用于补偿所述基准电压的温漂，其中， 所述带隙基准核心电路包括第一NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻及补偿电阻， 所述第一NMOS管的漏极与电源电压相连，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻的第一端、所述第一三极管的基极及所述第二三极管的集电极相连，所述第一NMOS管的栅极与所述第一运算放大器的输出端相连；所述第一电阻的第二端分别与所述第一三极管的集电极及所述第二三极管的基极连接，且所述第一电阻的第一端作为所述带隙基准核心电路的输出端；所述第一三极管的发射极与所述第二电阻的第一端及所述第一运算放大器的同向输入端相连；所述第二三极管的发射极与所述第三电阻的第一端及所述第一运算放大器的反向输入端相连；所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第二端分别与所述补偿电阻的第一端及所述电流补偿电路的输出端相连，所述补偿电阻的第二端接地， 所述电流补偿电路包括正温度系数电流生成电路、低压差线性稳压电路及电流组合器电路，其中，所述正温度系数电流生成电路用于产生正温度系数电流；所述低压差线性稳压电路用于产生零温度系数电流、第一零温度系数电压和第二零温度系数电压；所述电流组合器电路用于基于所述第三电阻的第一端输出的正温度系数电压、所述第一零温度系数电压、所述第二零温度系数电压、所述正温度系数电流及所述零温度系数电流来生成分段补偿电流。

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