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龙图腾网获悉合肥美镓传感科技有限公司申请的专利一种氮化镓紫外传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610035889.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种氮化镓紫外传感器的制备方法是由刘云鹏;孙剑文;刘煦设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓紫外传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓紫外传感器的制备方法，涉及氮化镓紫外传感器加工技术领域。本发明包括以下步骤：步骤a：获取外延片，外延片自下而上包括硅衬底、缓冲层、半导体层和势垒层；步骤b：采用电感耦合等离子体刻蚀工艺腐蚀势垒层和部分的半导体层；步骤c：在势垒层上的两端沉积欧姆接触金属，以形成欧姆接触电极。本发明通过引入氮化镓材料及其独特的宽禁带特性，有效克服了传统硅基紫外传感器在灵敏度、功耗和温度漂移方面的局限性，相比于传统硅、氧化锌等材料，GaN材料具有高温稳定性、低功耗以及低暗电流特性，特别通过优化器件结构设计和材料参数，提升了光电转换效率，使传感器在微弱紫外信号探测中具有超高灵敏度。

本发明授权一种氮化镓紫外传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓紫外传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤a：获取外延片，所述外延片自下而上包括硅衬底1-1、缓冲层1-2、半导体层1-3和势垒层1-4； 步骤b：采用电感耦合等离子体刻蚀工艺腐蚀所述势垒层1-4和部分的所述半导体层1-3； 步骤c：在所述势垒层1-4上的两端沉积欧姆接触金属1-5，以形成欧姆接触电极； 步骤d：在所述势垒层1-4、所述半导体层1-3和所述欧姆接触金属1-5上生长第一钝化层1-6，并利用ICP刻蚀工艺打开所述欧姆接触金属1-5上方的开孔； 步骤e：在所述第一钝化层1-6上制备金属引线1-7，所述金属引线1-7通过所述开孔与所述欧姆接触金属1-5相连； 步骤f：在所述金属引线1-7和所述欧姆接触金属1-5上生长第二钝化层1-8，并利用ICP刻蚀工艺打开所述金属引线1-7上的金属焊盘开孔； 步骤g：利用ICP刻蚀工艺在所述第二钝化层1-8上打开栅极区域的透光窗口，并在所述透光窗口处保留5~20nm厚度的钝化层，随后将四个采用相同工艺制备的传感器单元以惠斯通电桥结构进行电学连接，其中两个传感器单元作为感光器件，另外两个传感器单元作为参考器件，所述参考器件采用喷墨打印碳化材料的方式，对参考器件进行遮光处理，以覆盖其栅极区域的透光窗口。

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