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龙图腾网获悉浙江理工大学申请的专利可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121546320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610070751.3，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线是由杨凯;张静怡;李霖设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线在说明书摘要公布了：本发明公开了可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，属于无线通信技术领域，包括介质基板，介质基板的顶层刻蚀有上段弯折微带线、下段弯折微带线以及设置在上段弯折微带线和下段弯折微带线交接处的交指电容结构，上段弯折微带线、下段弯折微带线远离交指电容结构的一侧分别设置有第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻，第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻的另一侧分别设置有天线输入馈线和天线输出馈线。本发明提供的可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，通过交指电容加载，有效减小了天线尺寸，从而缩减了天线的有效辐射长度，达到了兼顾天线的远场辐射抑制和小尺寸的效果。

本发明授权可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线在权利要求书中公布了：1.可防止信息泄露的小尺寸交指电容加载近场传感节点天线，包括介质基板，其特征在于：介质基板的顶层刻蚀有上段弯折微带线、下段弯折微带线以及设置在上段弯折微带线和下段弯折微带线交接处的交指电容结构，上段弯折微带线、下段弯折微带线远离交指电容结构的一侧设置有阻抗匹配电阻单元，阻抗匹配电阻单元远离交指电容结构的一侧设置有馈线单元； 上段弯折微带线和下段弯折微带线呈Π形对称设置，交指电容结构用于连接上段弯折微带线和下段弯折微带线； 上段弯折微带线、下段弯折微带线、交指电容结构共同组成一个方形环路辐射结构，方形环路辐射结构上的电流流向呈现相同时针方向，并且产生强而均匀的近场磁场； 交指电容结构由若干个交指电容单体组成，交指电容单体与上段弯折微带线和下段弯折微带线一体成型；通过改变交指电容单体的数量与形状实现远场增益辐射的抑制；同时通过改变交指电容单体的参数来实现天线的小型化； 阻抗匹配电阻单元包括第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻； 馈线单元包括天线输入馈线和天线输出馈线；第一阻抗匹配电阻和第二阻抗匹配电阻的另一侧分别设置有天线输入馈线和天线输出馈线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江理工大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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