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龙图腾网获悉深圳市恒昌通电子有限公司申请的专利一种低压采样保持电路、其控制方法及转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121814097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610287743.4，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种低压采样保持电路、其控制方法及转换器是由沈冰亮;郑联;程成设计研发完成，并于2026-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压采样保持电路、其控制方法及转换器在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种低压采样保持电路、其控制方法及转换器，涉及集成电路设计技术领域，该低压采样保持电路包括亚阈值泄露抑制模块，包括电荷重分配电容，用于在保持阶段生成负电压；双倍栅压自举模块，用于在采样阶段抬升核心采样管的栅极电压；包括第一自举电容以及第二自举电容，第一自举电容的下极板接输入电压，第二自举电容的下极板接地；动态衬底偏置模块，用于动态切换核心采样管及关键器件的衬底电位；核心采样管，核心采样管包括串联的第一短沟道MOS管和第二短沟道MOS管；伪开关管；时钟控制单元，用于输出第一时钟信号和第二时钟信号，控制各模块在采样阶段与保持阶段协同工作。实现低压场景下高线性度采样与低漏电保持的协同优化。

本发明授权一种低压采样保持电路、其控制方法及转换器在权利要求书中公布了：1.一种低压采样保持电路，其特征在于，包括： 亚阈值泄露抑制模块，包括电荷重分配电容C3，用于在保持阶段生成负电压； 双倍栅压自举模块，用于在采样阶段抬升核心采样管的栅极电压；包括第一自举电容C1以及第二自举电容C2，所述第一自举电容C1的下极板接输入电压，所述第二自举电容C2的下极板接地； 动态衬底偏置模块，用于动态切换核心采样管及关键器件的衬底电位； 核心采样管，所述核心采样管包括串联的第一短沟道MOS管Ms1和第二短沟道MOS管Ms2； 伪开关管，用于反向补偿核心采样管断开时的电荷注入和时钟馈通影响； 时钟控制单元，用于输出互补的第一时钟信号和第二时钟信号，控制各模块在采样阶段与保持阶段协同工作； 所述双倍栅压自举模块还包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5以及第六MOS管M6； 所述第一MOS管M1的源极接电源电压，漏极与所述第二自举电容C2的上极板相连，栅极接所述第二时钟信号； 所述第二MOS管M2的源极接所述第二自举电容C2的上极板，漏极接地，栅极接所述第一时钟信号； 所述第三MOS管M3的源极接所述电源电压，漏极与所述第一自举电容C1的上极板相连，栅极接所述第二时钟信号； 所述第四MOS管M4的源极接所述第一自举电容C1的上极板，漏极接地，栅极接所述第一时钟信号； 所述第五MOS管M5的源极接所述第二自举电容C2的下极板，漏极与所述第一自举电容C1的上极板相连，栅极接所述第一时钟信号； 所述第六MOS管M6的源极接所述第一自举电容C1的上极板，漏极与所述核心采样管的栅极相连，栅极接所述第一时钟信号； 所述亚阈值泄露抑制模块还包括第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十五MOS管M15、第十六MOS管M16； 所述第八MOS管M8的源极接所述电荷重分配电容C3的下极板，漏极接地，栅极接所述第一时钟信号； 所述第九MOS管M9的源极接所述电荷重分配电容C3的下极板，漏极与所述核心采样管的栅极相连，栅极接所述第二时钟信号； 所述电荷重分配电容C3的上极板接所述第二时钟信号CLKB； 所述第十五MOS管M15的源极接地，漏极与所述核心采样管的衬底相连，栅极接所述第二时钟信号； 所述第十六MOS管M16的源极接所述第一短沟道MOS管Ms1的源极，漏极与所述核心采样管的衬底相连，栅极接所述第一时钟信号。

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