苏州佑伦真空设备科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州佑伦真空设备科技有限公司申请的专利一种多功能离子束刻蚀与沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224186248U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520879816.X，技术领域涉及：C23C14/34；该实用新型一种多功能离子束刻蚀与沉积装置是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多功能离子束刻蚀与沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型提出一种多功能离子束刻蚀与沉积装置，包括腔体，腔体内连接设有靶材，靶材的斜对角上方设有载台机构，载台机构通过旋转驱动机构与腔体连接，载台机构上设有待镀膜晶圆基片，腔体的一侧连接设有第一离子源且第一离子源位于载台机构的同一侧的下部，另一侧连接设有第二离子源且位于靶材的同一侧的上部，第一离子源用于轰击靶材表面，靶材反射形成二次电子束，二次电子束将溅射出的膜料沉积到待镀膜晶圆基片上，形成薄膜，第二离子源用于对待镀膜晶圆基片进行预清洁；通过设有第一离子源和第二离子源，具备同时溅射、刻蚀、清清洁等功能，解决了现有设备功能单一的问题，而且结构简单，制造便捷，降低了制造成本。
本实用新型一种多功能离子束刻蚀与沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种多功能离子束刻蚀与沉积装置，包括腔体10，所述腔体10内连接设有靶材20，所述靶材20的斜对角上方设有载台机构30，所述载台机构30通过旋转驱动机构40与所述腔体10连接，所述旋转驱动机构40带动所述载台机构30调整角度，所述载台机构30上设有待镀膜晶圆基片，其特征在于：所述腔体10的一侧连接设有第一离子源50且第一离子源50位于载台机构30的同一侧的下部，另一侧连接设有第二离子源60且位于靶材20的同一侧的上部，所述第一离子源50用于轰击所述靶材20表面，所述靶材20反射形成二次电子束，二次电子束将溅射出的膜料沉积到所述待镀膜晶圆基片上，形成薄膜，所述第二离子源60用于对待镀膜晶圆基片进行预清洁，使得其更好的镀膜，或者对沉积到所述待镀膜晶圆基片上的薄膜进行刻蚀。
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