北京亦盛精密半导体有限公司骆宏晨获国家专利权
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龙图腾网获悉北京亦盛精密半导体有限公司申请的专利CVD碳化硅环双向沉积工装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224186267U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521058836.7，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型CVD碳化硅环双向沉积工装是由骆宏晨;张慧设计研发完成，并于2025-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本CVD碳化硅环双向沉积工装在说明书摘要公布了：本实用新型属于化学气相沉积技术领域，具体涉及CVD碳化硅环双向沉积工装，旨在提高碳化硅材料沉积的效率和质量，该工装包括沉积底座、定位件、连接盘、沉积基体和沉积遮盖，通过创新的双向沉积设计，实现了同时对两面进行沉积，从而提高了生产效率；通过合理的结构设计，确保气流均匀分布，解决了传统单向沉积设备薄膜厚度不均的问题，并有效防止外部杂质的进入；定位柱、挡帽、挡环和弹簧的组合设计，确保工装在沉积过程中的稳定性和操作便捷性，减少了维护时间和成本，进一步提高了设备的使用寿命和安全性，能够为碳化硅材料的高效生产提供可靠保障。
本实用新型CVD碳化硅环双向沉积工装在权利要求书中公布了：1.CVD碳化硅环双向沉积工装，其特征在于：包括沉积底座1,所述沉积底座1的底部插接有用于对其位置进行限定的定位件2； 所述沉积底座1包括与定位件2相连接的底板11，所述底板11的顶部固定连接有连接座13，所述连接座13的顶部设置有多个连接盘3和沉积基体4，连接盘3分布在沉积基体4的两侧； 最顶部的连接盘3上连接有沉积遮盖5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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