成都市易冲半导体有限公司蒲明臻获国家专利权
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龙图腾网获悉成都市易冲半导体有限公司申请的专利一种自钳位保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224191639U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520883137.X，技术领域涉及：H02H9/04；该实用新型一种自钳位保护电路是由蒲明臻设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自钳位保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种自钳位保护电路，供电端VS连接功率晶体管M0的漏极和电压采样模块VS‑sns；电压采样模块VS‑sns连接压控电流源I0的控制端；电压采样模块Gate‑sns一方面连接功率晶体管M0的栅极，另一方面连接压控电流源I1的控制端；功率晶体管M0的栅极一方面连接驱动模块，另一方面分别经压控电流源I0和压控电流源I1接地；使能模块经开关电路分别连接电压采样模块VS‑sns和电压采样模块Gate‑sns的控制端。本实用新型通过压控电流源I0与压控电流源I1相互补充以达到在供电端VS不同上电速度而引起的功率晶体管M0通道被打开的自下拉的功能，从而能够在电源快速上电时保护功率晶体管M0。
本实用新型一种自钳位保护电路在权利要求书中公布了：1.一种自钳位保护电路，其特征在于，包括第一电压采样模块VS-sns、第二电压采样模块Gate-sns、第一压控电流源I0、第二压控电流源I1和开关电路； 供电端VS分别连接功率晶体管M0的漏极和第一电压采样模块VS-sns；第一电压采样模块VS-sns连接第一压控电流源I0的控制端；功率晶体管M0的栅极和漏极之间连接寄生电容Cgd，功率晶体管M0的源极连接输出端VOUT；第二电压采样模块Gate-sns一方面连接功率晶体管M0的栅极，另一方面连接第二压控电流源I1的控制端；功率晶体管M0的栅极一方面连接驱动模块Driver，另一方面分别经第一压控电流源I0和第二压控电流源I1接地；使能模块EN经开关电路分别连接第一电压采样模块VS-sns和第二电压采样模块Gate-sns的控制端。
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