ASM IP私人控股有限公司I.拉伊杰马克斯获国家专利权
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龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利衬底加工装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112309902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010703369.4，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权衬底加工装置和方法是由I.拉伊杰马克斯;D.皮尤米;I.祖尔科夫;D.德罗斯特;M.吉范斯设计研发完成，并于2020-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底加工装置和方法在说明书摘要公布了：公开了一种用以产生牺牲掩蔽层的衬底加工方法和装置。该层通过在反应腔室中提供选择为与衬底上的辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以选择性地生长所述牺牲掩蔽层来产生。
本发明授权衬底加工装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用以在衬底上产生牺牲掩蔽层的衬底加工装置，所述装置包括： 光刻输入输出端口，所述光刻输入输出端口用以在所述衬底加工装置与光刻投影装置之间转移衬底； 可改性层沉积设备以在衬底上沉积可辐射改性层，所述可辐射改进层是自组装单层SAM； 选择性沉积设备，所述选择性沉积设备用以在反应腔室中提供选择为与辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的第一前体以产生所述掩蔽层； 衬底装卸器，所述衬底装卸器用以在所述光刻输入输出端口和所述选择性沉积设备之间转移衬底；和， 控制系统，所述控制系统可操作地连接到所述衬底装卸器和所述选择性沉积设备并提供有存储器，所述存储器提供有当在所述控制系统上执行时进行以下的程序： 控制所述衬底装卸器以经由所述光刻输入输出端口拾取所述衬底并将其移动到所述选择性沉积设备；和 控制所述选择性沉积设备以在所述反应腔室中提供选择为与所述辐射改性和未改性的层部分中之一反应而不与所述辐射改性和未改性的层部分中之另一反应的所述第一前体以在所述辐射改性和未改性的层部分中的一个上沉积所述牺牲掩蔽层，所述牺牲掩蔽层包括选自金属、硅Si和锗Ge的元素。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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