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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011133037.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块是由V·范特里克;R·巴布斯克;C·耶格;C·R·缪勒;F-J·尼德诺斯泰德;F·D·普菲尔施;A·菲利波;J·施佩希特设计研发完成，并于2020-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块在说明书摘要公布了：公开了半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块。一种半导体管芯510包括半导体本体100。半导体本体100包括第一有源部分191和第二有源部分192。第一有源部分191包括第一源极区111。第二有源部分192包括第二源极区112。栅极结构150从第一表面101延伸到半导体本体100中。栅极结构150具有沿着横向第一方向291的纵向栅极延伸lg。第一负载焊盘311和第一源极区111被电连接。第二负载焊盘312和第二源极区112被电连接。间隙230在横向上分离第一负载焊盘311和第二负载焊盘312。间隙230的在横向上的纵向延伸平行于第一方向291或者从第一方向291偏离不多于60度。连接结构390电连接第一负载焊盘311和第二负载焊盘312。连接结构390被形成在从第一表面101延伸到半导体本体100中的凹槽中和或被形成在形成于第一表面101上的布线层中。

本发明授权半导体管芯、半导体器件以及绝缘栅双极晶体管模块在权利要求书中公布了：1.一种半导体管芯，包括： 半导体本体100，其包括第一有源部分191和第二有源部分192，第一有源部分191包括第一源极区111，第二有源部分192包括第二源极区112； 栅极结构150，其从第一表面101延伸到半导体本体100中，其中栅极结构150具有沿着第一横向方向291的栅极延伸； 第一负载焊盘311，其中第一负载焊盘311和第一源极区111被电连接； 第二负载焊盘312，其中第二负载焊盘312和第二源极区112被电连接，其中间隙230在横向上分离第一负载焊盘311和第二负载焊盘312，其中间隙230具有平行于第一横向方向291的延伸或者具有从第一横向方向291偏离不多于60度的延伸；以及 连接结构390，其电连接第一负载焊盘311和第二负载焊盘312，其中连接结构390被形成在从第一表面101延伸到半导体本体100中的凹槽中和或被形成在形成于第一表面101上的布线层中。

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