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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110627504.6，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件是由邵家俊;陈刚设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件在说明书摘要公布了：本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件，该P型背接触式晶硅太阳能电池包括P型硅片，P型硅片的正面设置有钝化减反射层；硅片基底的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布；N+掺杂区包括设于P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅；P型硅片背面对应负电极的位置设有绒面结构，负电极对应绒面结构的位置设有与N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构。本发明提供的P型背接触式晶硅太阳能电池可以有效改善负电极与N+掺杂多晶硅的欧姆接触，提升电池效率，且实现方式简单，实现成本低。

本发明授权一种P型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件在权利要求书中公布了：1.一种P型背接触式晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型硅片，所述P型硅片的正面设置有钝化减反射层； 所述P型硅片的背面设置有P+掺杂区、N+掺杂区、背面钝化层、正电极及负电极，所述P+掺杂区与N+掺杂区交替间隔分布，所述背面钝化层覆盖所述P+掺杂区及所述N+掺杂区； 所述N+掺杂区包括设于所述P型硅片背面的隧穿氧化层、及设于所述隧穿氧化层之上的N+掺杂多晶硅，所述正电极与所述P+掺杂区形成欧姆接触，所述负电极与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触；所述P型硅片背面对应所述负电极的位置设有绒面结构，所述负电极对应所述绒面结构的位置设有与所述N+掺杂多晶硅形成欧姆接触的粗糙纹理结构，所述绒面结构的宽度为80-200um，所述N+掺杂多晶硅的方阻为50-200Ωsqr； 所述P型硅片背面设置有与所述P+掺杂区的数量相对应的凹槽，每个所述P+掺杂区对应设置于一所述凹槽的底部，所述凹槽的底部设置有绒面，所述正电极设置于所述绒面上，且所述背面钝化层覆盖所述绒面。

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