南亚科技股份有限公司施信益获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010875484.X，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体结构及其制造方法是由施信益设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括第一晶圆、第二晶圆、阻障层、连通道以及导电材料。第一晶圆具有导电垫。第二晶圆设置重叠于第一晶圆并包括对准导电垫的穿孔。穿孔的内壁与导电垫相接。阻障层覆盖穿孔的内壁。阻障层包括底部。底部覆盖导电垫。连通道从阻障层的底部延伸至导电垫内。连通道的内径小于穿孔的内径。导电材料填充穿孔与连通道，并连接至导电垫。如此，整体电性能够进一步改善。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一晶圆，具有导电垫； 第二晶圆，设置重叠于所述第一晶圆并包括对准所述导电垫的穿孔，其中所述穿孔的内壁与所述导电垫相接； 绝缘层，覆盖所述穿孔的所述内壁； 阻障层，覆盖所述绝缘层，其中所述阻障层的剖面为相对的两个L形结构，所述阻障层包括底部，所述底部直接覆盖所述导电垫； 连通道，从所述阻障层的所述底部延伸至所述导电垫内，其中所述连通道的内径小于所述穿孔的内径，且所述连通道的顶部位于所述两个L形结构之间；以及 导电材料，填充于所述穿孔与所述连通道内，并连接至所述导电垫，其中所述导电材料直接接触所述导电垫，且所述导电材料的底面低于所述阻障层的所述底部的底面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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