中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011189554.2，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：介电墙，贯穿所述第一区域和第二区域交界处的所述第一沟道层和第一栅极，阻断墙，位于所述介电墙顶部横向的一端，且所述阻断墙在所述衬底上的投影位于所述介电墙在所述衬底上的投影中，第二栅极位于所述阻断墙侧部的所述第一栅极和介电墙上，且露出所述阻断墙的顶部，从而阻断墙在电隔离所述第二栅极的同时，使得占据的半导体结构的平面面积较小，使得所述半导体结构的集成度较高。此外，因为阻断墙位于所述介电墙的顶部，在半导体结构工作时，所述阻断墙与所述沟道的距离较远，阻断墙不易对沟道产生应力，使得沟道中载流子的迁移速率易满足工艺需求，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域； 一个或多个第一沟道层，沿所述衬底表面法线方向，间隔悬置于所述衬底上； 第一栅极，位于所述衬底上，且所述第一栅极全包围所述第一沟道层； 介电墙，贯穿所述第一区域和第二区域交界处的所述第一沟道层和第一栅极，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述介电墙的延伸方向为横向； 阻断墙，位于所述介电墙顶部横向的一端，所述阻断墙偏置的位于所述介电墙的顶部，所述阻断墙在所述衬底上的投影位于所述介电墙在所述衬底上的投影中； 第二栅极，位于所述阻断墙侧部的所述第一栅极和介电墙上，且露出所述阻断墙的顶部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励