TDK株式会社藤田实获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利肖特基势垒二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830354B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087234.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基势垒二极管是由藤田实;有马润;川崎克己;平林润设计研发完成，并于2020-10-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本发明的课题在于在氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止由沟槽与场绝缘层的对准偏差引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：与漂移层30肖特基接触的阳极电极40；与半导体基板20欧姆接触的阴极电极50；覆盖设置于漂移层30的沟槽61的内壁的绝缘膜63；隔着绝缘膜63覆盖沟槽61的内壁并且与阳极电极40电连接的金属膜64；以及场绝缘层70。场绝缘层70包含：位于漂移层30的上表面31与阳极电极40之间的第一部分71以及隔着金属膜64和绝缘膜63覆盖沟槽61的内壁的第二部分72。由此，即使沟槽61与场绝缘层70的对准发生偏差，也不会发生绝缘破坏。
本发明授权肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于， 具备： 由氧化镓构成的半导体基板； 由氧化镓构成的漂移层，其设置于所述半导体基板上； 与所述漂移层肖特基接触的阳极电极； 与所述半导体基板欧姆接触的阴极电极； 覆盖设置于所述漂移层的环状的外周沟槽的内壁的绝缘膜； 隔着所述绝缘膜覆盖所述外周沟槽的所述内壁，并且与所述阳极电极电连接的金属膜；以及 场绝缘层， 所述场绝缘层包含：位于所述漂移层的上表面与所述阳极电极之间的第一部分、以及隔着与所述阳极电极电连接的所述金属膜和所述绝缘膜覆盖所述外周沟槽的所述内壁中的位于外周的部分和底部的至少一部分的第二部分。
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