美光科技公司王虹美获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列中的放电电流缓解获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092317.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器阵列中的放电电流缓解是由王虹美;孙塡承;A·盖蒂设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列中的放电电流缓解在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器阵列中的放电电流缓解。可将存储器阵列的存取线分成离散片段，其中每个片段通过对应于所述片段的一或多个通孔与用于所述存取线的驱动器耦合。举例来说，存取线的第一片段可与第一组存储器单元耦合，所述存取线的第二片段可与第二组存储器单元耦合，并且驱动器可通过第一通孔耦合到所述第一片段且通过第二通孔耦合到所述第二片段。为了存取所述第一组或所述第二组中的存储器单元，所述存取线的所述第一片段及所述存取线的所述第二片段可由共同驱动器一起激活。
本发明授权存储器阵列中的放电电流缓解在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，其包括： 存取线的第一片段，所述第一片段与第一组存储器单元耦合； 所述存取线的第二片段，所述第二片段与所述第一片段分开且与第二组存储器单元耦合； 驱动器，其与所述第一片段及所述第二片段耦合； 第一通孔，其与所述第一片段耦合，其中所述驱动器通过所述第一通孔与所述第一片段耦合；及 第二通孔，其与所述第二片段耦合，其中所述驱动器通过所述第一通孔、所述第二通孔及至少一条导电线与所述第一片段及所述第二片段耦合，且其中所述至少一条导电线中的每一者与所述驱动器直接耦合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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