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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211018717.X，技术领域涉及：H10P14/24；该发明授权一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法是由李传皓;李忠辉;彭大青设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法，基于金属有机物化学气相沉积MOCVD等材料外延生长方式，通过在单晶衬底表面生长氮化铝过渡层，提升衬底表面催化活性，降低后续氮化硼二维材料成核所需的活化能；引入氮化硅隔离层，降低氮化硼二维材料来自衬底的杂质引入；并在氮化铝过渡层氮化硼二维材料界面引入气流零过渡工艺，降低界面温场、流场的扰动来改善氮化硼二维材料的有序成核，提升结晶质量。此种外延生长方法能够实现表面平整、结晶质量较高的氮化硼二维材料，促进氮化硼基深紫外光电器件、范德华异质结等新型器件性能的提升。

本发明授权一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种提高氮化硼二维材料结晶质量的外延生长方法，其特征在于包括如下步骤： 步骤1，选取单晶衬底，置于MOCVD设备内基座上； 步骤2，设置反应室压力50~100torr，通入H2，升温至1000~1100℃，烘烤衬底5~15分钟，去除衬底表面沾污； 步骤3、在H2气氛下设定反应室压力30~150torr，设定温度900~1300℃，通入NH3并保持1~20分钟，对衬底表面进行氮化处理； 步骤4、保持反应室压力及温度不变，关闭NH3的同时通入铝源，持续供铝5~25秒；然后关闭铝源的同时通入NH3，持续供氨5~25秒；重复进行铝源和NH3分时供应的脉冲工艺，生长10~100nm厚氮化铝过渡层，关闭铝源；在氮化铝过渡层生长期间，通过调整NH3和铝源流量，使NH3和铝源的摩尔比值达到N1； 步骤5，保持反应室压力、温度及气体流量不变，通入金属有机硼源，并通过调整硼源流量，使NH3和硼源的摩尔比值达到N2，生长1~3nm厚氮化硼二维材料，关闭硼源； 步骤6，在NH3气氛保护下降至室温，取出外延材料； 所述步骤4与步骤5之间还包括步骤a：保持反应室压力、温度及气体流量不变，通入SiH4，生长1~3nm厚氮化硅隔离层，关闭SiH4； 步骤4中的氮化铝过渡层、步骤5中的氮化硅隔离层和步骤6中的氮化硼二维材料，其外延生长压力、温度及气体流量均一致，即在氮化铝过渡层氮化硼二维材料界面引入了气流零过渡工艺； 所述步骤4中，NH3和铝源的摩尔比值N1范围是200~2000； 所述步骤5中，NH3和硼源的摩尔比值N2范围是1000~5000。

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