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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110544729.5，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法是由谭立龙;吴向龙;闫宝华;王成新设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaAs基倒装MiniLED芯片及其制备方法。所述芯片包括从下至上依次设置的透明衬底、键合层、P电流扩展层、P欧姆层；所述P欧姆层上设置有台面；所述台面从下至上依次包括P波导层、发光层、N波导层、N电流扩展层、N缓冲层、N欧姆层；所述台面下，P欧姆层上设置有P电极；所述台面上，N欧姆层上设置有N电极；所述P电极和N电极正上方均设置有电极焊盘。通过设置电极焊盘把封装生产中所需的焊料锡作与电极结构相结合，无需在基板上点锡膏，即实现芯片‑基板互连，利于封装芯片的模块化生产；有效改善了芯片封装中芯片‑基板焊接力不强，热膨胀系数高，制造麻烦，生产成本高的问题。

本发明授权一种GaAs基倒装Mini LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs基倒装MiniLED芯片，其特征在于，所述芯片包括从下至上依次设置的透明衬底、键合层、P电流扩展层、P欧姆层；所述P欧姆层上设置有台面；所述台面从下至上依次包括P波导层、发光层、N波导层、N电流扩展层、N缓冲层、N欧姆层；所述台面下，P欧姆层上设置有P电极；所述台面上，N欧姆层上设置有N电极；所述P电极和N电极正上方均设置有电极焊盘； 所述电极焊盘结构为TiAlNiPtSn、TiAlTiPtNiPtSn1-x-yAgxCuy或TiAlTiPtNiPtSnIn，0.5＜X＜2,0.1＜Y＜1； 所述P电极结构为AuAuBeAu，N电极结构为AuAuGeNiAuPtAu,所述电极焊盘中的TiAl结构有N对，N为正整数； 所述电极焊盘TiAlNiPtSn结构中的Ti层厚度为50-200nm，Al层的厚度为200-800nm，Ni层的厚度为300-1000nm，Sn层的厚度为6-10μm；所述电极焊盘TiAlTiPtNiPtSn1-x-yAgxCuy结构中的Ti层厚度为50-200nm，Al层的厚度为200-800nm，Ni层的厚度为300-1000nm，Sn1-x-yAgxCuy层的厚度为6-10μm；所述电极焊盘TiAlTiPtNiPtSnIn结构中的Ti层厚度为50-200nm，Al层的厚度为200-800nm，Ni层的厚度为300-1000nm，Sn层的厚度为2-4μm，In层的厚度为3-6μm； 所述GaAs基倒装MiniLED芯片的制备方法，包括步骤如下： 1采用MOCVD方法，在临时衬底上依次生长腐蚀停止层、N欧姆层、N缓冲层、N电流扩展层、N波导层、发光层、P波导层、P欧姆层和P电流扩展层，得到外延片； 2将P电流扩展层进行粗化处理，得到P电流扩展层粗化面； 3在P电流扩展层粗化面上沉积键合层，然后对键合层表面进行抛光处理，得到键合层抛光面； 4将透明衬底和键合层抛光面活化后进行键合处理，得到键合透明衬底的外延片； 5将步骤4得到的外延片去除临时衬底和腐蚀停止层； 6在步骤5得到的外延片表面光刻掩膜，利用ICP干法刻蚀至P欧姆层裸露出来，形成台面； 7在台面下，P欧姆层上制作P电极；在台面上，N欧姆层上制作N电极； 8在步骤7所得到的外延片台面间利用ICP刻蚀切割道，然后在外延片表面沉积保护层； 9刻蚀P电极和N电极正上方的保护层，形成P导电孔和N导电孔； 10在P导电孔和N导电孔上方分别制作P电极焊盘和N电极焊盘 11将步骤10所得的外延片进行减薄、隐形切割、裂片、测试、光学检测、分选后，即可得到GaAs基倒装MiniLED芯片。

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