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龙图腾网获悉日产化学株式会社申请的专利抗蚀剂下层膜形成用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031906.8，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权抗蚀剂下层膜形成用组合物是由志垣修平;石桥谦;柴山亘设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗蚀剂下层膜形成用组合物在说明书摘要公布了：本发明的课题是提供用于形成在半导体基板等的加工工序中，不仅能够通过以往的采用干蚀刻的方法，而且能够通过采用使用了稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿蚀刻的方法进行剥离的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，此外提供保存稳定性优异、用于形成干蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，上述水解性硅烷混合物包含式1所示的水解性硅烷和烷基三烷氧基硅烷，上述水解性硅烷混合物中的烷基三烷氧基硅烷的含量基于上述水解性硅烷混合物所包含的全部水解性硅烷的总摩尔数为0摩尔％以上且小于40摩尔％。在式1中，R1为与硅原子结合的基团，表示包含选自琥珀酸酐骨架、乙烯基、苯基和异氰脲酸骨架中的至少1种基团或骨架的有机基，R2为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1，b表示0～2的整数，4‑a+b表示1～3的整数。R1aR2bSiR34‑a+b1。

本发明授权抗蚀剂下层膜形成用组合物在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含式1所示的水解性硅烷、烷基三烷氧基硅烷和下述式2所示的水解性硅烷， 所述水解性硅烷混合物中的烷基三烷氧基硅烷的含量基于所述水解性硅烷混合物所包含的全部水解性硅烷的总摩尔数为0摩尔%以上且小于40摩尔%， 在式1中， R1为与硅原子结合的基团，表示包含选自琥珀酸酐骨架、烯基、芳基和下述式1-2所示的基团中的至少1种基团或骨架的有机基， 在式1-2中， X101表示下述式1-3～式1-5所示的基团中的任一者，并且下述式1-4和式1-5中的酮基的碳原子与式1-2中的R102所结合的氮原子结合， 在式1-3～式1-5中，R103～R107彼此独立地表示氢原子、可以被取代的烷基、可以被取代的烯基、或者包含环氧基或磺酰基的有机基； R101彼此独立地表示氢原子、可以被取代的烷基、可以被取代的烯基、或者包含环氧基或磺酰基的有机基， R102彼此独立地表示亚烷基、羟基亚烷基、硫键即-S-、醚键即-O-或酯键即-C＝O-O-或-O-C＝O-； R2为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的卤代烷基、或可以被取代的烷氧基烷基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、烷氧基、磺酰基、或氰基的有机基、或它们的组合， R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子， a表示1，b表示0～2的整数，4-a＋b表示1～3的整数， 在式2中， R4为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基、可以被取代的卤代烷基、或可以被取代的烷氧基烷基，或者表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、烷氧基、磺酰基、或氰基的有机基、或它们的组合， R5为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基、或卤原子， c表示0～3的整数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人日产化学株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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