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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;上海交通大学;北京大学申请的专利适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115495909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211162708.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法是由纪志罡;王达;王润声;任鹏鹏设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下VgVd不同组合器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。

本发明授权适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法，其步骤包括： 1依据DRAM外围晶体管的栅极氧化层中存在的所有缺陷类型和在不同电压施加到器件上时各种缺陷对器件的影响大小，将DRAM外围晶体管所有的工作电压区域划分成不同缺陷类型主导的应力区域，并建立不同缺陷导致器件阈值电压退化的物理模型； 2在上述不同缺陷类型主导的应力区域中分别选取若干组不同VDVG高电场应力条件下数据，其中漏压|VD|或者栅压|VG|大于典型工作电压3V，通过实现模型预测效果与实测数据相吻合，确定该区域内表征相应缺陷的模型拟合参数数值，得到在任意电压和任意工作时间下由不同缺陷类型产生的阈值电压偏移量； 3整合表征所有缺陷类型导致的阈值电压退化量大小的计算公式，得到完整的老化模型，在低电场应力条件下，即漏压|VD|和栅压|VG|都小于等于典型工作电压3V，验证模型计算出的器件阈值电压退化量和实际测得的实验数据吻合效果； 4使用步骤3得到老化模型，输入开态任意条件下的VDVG应力以及任意长短的老化时间，其中，开态条件下栅压|VG|大于阈值电压0.85V，即可预测出该条件下器件的退化量。

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