华邦电子股份有限公司陈皇男获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利动态随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115707228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110797129.X,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权动态随机存取存储器及其制造方法是由陈皇男设计研发完成,并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括多个位线接触结构、多个位线结构、多个第一绝缘结构、电容接触结构、第一连接垫、第二绝缘结构及电容结构。位线结构沿着第一方向延伸。第一绝缘结构沿着与第一方向相交的第二方向延伸。电容接触结构位于两两位线结构与两两第一绝缘结构之间。第一连接垫形成于电容接触结构上。第二绝缘结构环绕第一连接垫,且第二绝缘结构的顶部宽度大于底部宽度。电容结构形成于第一连接垫上并且与第一连接垫电连接。
本发明授权动态随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种动态随机存取存储器,其特征在于,包括: 多个位线接触结构,形成于一基板上; 多个位线结构,形成于所述位线接触结构上,且沿着一第一方向延伸; 多个第一绝缘结构,形成于所述基板上,且沿着与所述第一方向相交的一第二方向延伸; 一电容接触结构,形成于所述基板上,且位于相邻的所述位线结构与相邻的所述第一绝缘结构之间; 一第一连接垫,形成于所述电容接触结构上; 一第二绝缘结构,环绕所述第一连接垫,且所述第二绝缘结构的顶部宽度大于底部宽度;及 一电容结构,形成于所述第一连接垫上并且与所述第一连接垫电连接,其中所述第二绝缘结构的一顶表面与所述第一连接垫的一顶表面及所述位线结构的一顶表面齐平。
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