买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种基于电流反馈的稳压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115756081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211579045.X，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种基于电流反馈的稳压电路是由李文嘉;刘浩;罗晟;权磊;杨悦设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电流反馈的稳压电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电流反馈的稳压电路；包括有采样模块、调整模块和反馈控制模块，具体包括高压MOS管HV_PM1、高压MOS管HV_PM2、高压MOS管HV_PM3和高压MOS管HV_NM1，常压MOS管NM1、常压MOS管NM2、常压MOS管NM3和常压MOS管NM4，稳压二极管Z1，电阻R0、电阻R1和电阻R3，偏置电流I1、偏置电流I2和偏置电流I3。本发明在输入电压低于稳压二极管Z1的反向击穿电压VZ1时，输出电压等于输入电压，压降小；在高输入电压时，通过采样流过稳压二极管Z1的电流，经反馈回路调整MOS管的栅源压差，改变MOS管的导通阻抗，使输出电压VOUT稳定在一个稳压二极管Z1的反向击穿电压VZ1，约5.5V。

本发明授权一种基于电流反馈的稳压电路在权利要求书中公布了：1.一种基于电流反馈的稳压电路，其特征在于：包括有采样模块201、调整模块202和反馈控制模块203，具体包括MOS管HV_PM1、MOS管HV_PM2、MOS管HV_PM3和MOS管HV_NM1，MOS管NM1、MOS管NM2、MOS管NM3和MOS管NM4，稳压二极管Z1，电阻R0、电阻R1和电阻R2，偏置电流I1、偏置电流I2和偏置电流I3； 所述调整模块202中仅包括有所述MOS管HV_PM3，所述MOS管HV_PM3的栅极与所述反馈控制模块203中的所述电阻R0相连接于C点； 所述采样模块201中包括与输出电压VOUT连接的所述偏置电流I2、所述偏置电流I3和所述稳压二极管Z1，所述偏置电流I3与所述MOS管NM4的栅极和漏极连接，所述MOS管NM4的源极与所述电阻R2串联，所述偏置电流I2与所述MOS管NM3的漏极连接，所述MOS管NM3的栅极与所述MOS管NM4栅极连接，所述MOS管NM3的漏极与电阻R1串联，所述稳压二极管Z1正极与所述电阻R1串联，连接于A点； 所述反馈控制模块203中包括有与输入电压VIN连接的所述电阻R0和所述MOS管HV_PM2，所述电阻R0和所述MOS管HV_PM2并联后与所述偏置电流I1连接于C点，所述MOS管HV_PM2的漏极与所述偏置电流I1连接于C点，所述MOS管HV_PM2的栅极与所述MOS管HV_PM1的栅极和漏极分别电性连接，所述MOS管HV_PM1的漏极与所述MOS管HV_NM1的漏极电性连接，所述MOS管HV_NM1的源极与所述MOS管NM1的漏极电性连接，所述MOS管NM1的栅极与所述MOS管NM2的栅极连接，所述MOS管NM2的栅极和漏极与所述采样模块201中所述MOS管NM3的漏极连接； 基于电流反馈的稳压电路中包括有输入电压VIN、GND和输出电压VOUT，所述输入电压VIN为芯片的电源电压，输入电压范围大；所述偏置电流I3、所述偏置电流I2为nA级别的偏置电流，所述偏置电流I1为uA级别的偏置电流，其中I3＝12I1，R2＝R1R0； 所述MOS管HV_PM3的源极与所述输入电压VIN电性连接，所述MOS管HV_PM3的漏极与所述输出电压VOUT电性连接，所述电阻R2另外一端电性连接所述GND，所述电阻R1另外一端电性连接所述GND，所述偏置电流I1输出到所述GND，所述MOS管HV_PM2的源极与所述输入电压VIN电性连接，所述MOS管HV_PM1的源极与所述输入电压VIN电性连接，所述MOS管HV_NM1栅极与所述输出电压VOUT电性连接，所述MOS管NM1的源极与所述GND电性连接，所述MOS管NM2的源极与所述GND电性连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微爱芯电子有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区长江路21号信息产业科技园D3楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。