华东光电集成器件研究所桑泉获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种混合集成低噪声功率电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115776762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211516981.6，技术领域涉及：H05K1/02；该发明授权一种混合集成低噪声功率电路是由桑泉;李雨晴;杜敏杰设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种混合集成低噪声功率电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种混合集成低噪声功率电路，包括：中间层上制有地层GND覆铜，在地层GND覆铜的空白处制有电感L1的高频交流节点L1‑2；顶层中设有输入Vin节点L1‑1与电感L1输入端相连、电感另一端连接控制器N1的SW端与节点L1‑2联通；底层设有二极管V1，其P极与节点L1‑2联通，二极管V1输出端连电容C3，C3另一端连接GND覆铜层，GND覆铜层连接N1控制器的GND，同时连接输入GND端。本发明的优点：Vin输入经电感L1电流流经的回路三层重叠，电流流过的环路面积几乎为零，大大减少高频磁通变化量降低噪声干扰，同时高频电压变化节点都有地层覆铜中间层包络，大大吸收高频噪声尖峰电压。
本发明授权一种混合集成低噪声功率电路在权利要求书中公布了：1.一种混合集成低噪声功率电路，其特征在于包括： a.中间层，中间层上制有地层GND覆铜，在地层GND覆铜的空白区域制有一组电感L1的高频交流节点L1-2，节点L1-2通往底层； b.顶层，顶层中设有电感L1和电感L1的控制器N1的SW端，顶层上还设有连接输入Vin的节点L1-1，节点L1-1与电感L1输入端相连； c.底层，底层中设有整流二极管V1，V1的P极与节点L1-2对应联通的，整流二极管V1的输出端连接电容C3，C3电容的另一端连接GND覆铜层； 电感L1和N1控制器的SW端连接，SW端通过中间层L1-2节点连接地层的V1整流二极管P端，V1整流二极管N端连接Vo输出端，Vo输出端连接电容C3一端，C3电容的另一端连接GND覆铜层，GND覆铜层连接N1控制器的GND，同时连接输入GND端。
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