天狼芯半导体(成都)有限公司陈涛获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115902562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211417940.1,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法是由陈涛;黄汇钦设计研发完成,并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法在说明书摘要公布了:本申请属于半导体技术领域,提供了一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法,界面缺陷检测方法通过对待测功率器件施加水平静磁场,使得缺陷能级中的电子的自旋方向发生改变,其自旋方向向下,通过施加射频磁场后缺陷能级中的电子的自旋方向发生翻转,方向向上,使得来自导带中的原本与缺陷能级中进行配对的电子的配对行为将被禁止,此时来自导带中的电子将掉落进入价带中,并与价带中的空穴复合,形成漏电流,然后通过检测漏电流的大小实现界面缺陷密度的检测。
本发明授权一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法在权利要求书中公布了:1.一种界面缺陷检测方法,应用于待测功率器件,其特征在于,所述待测功率器件的漏极连接电源,所述待测功率器件的源极接地,所述待测功率器件的栅极悬空,所述界面缺陷检测方法包括: 对所述待测功率器件施加水平静磁场;其中,所述水平静磁场用于调整缺陷能级中的电子的自旋方向; 在所述待测功率器件的栅极上方施加射频磁场;其中,所述射频磁场用于翻转位于所述缺陷能级中的电子的自旋方向,以使得来自导带中的电子移动至价带中的空穴内,从而形成漏电流; 检测所述待测功率器件的漏电流,根据所述漏电流的大小确定所述待测功率器件的界面缺陷密度; 其中,所述对所述待测功率器件施加水平静磁场,包括:在所述待测功率器件的源极和漏极两侧分别设置第一磁体和第二磁体,所述第一磁体和所述第二磁体用于产生所述水平静磁场。
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