广西电网有限责任公司电力科学研究院周柯获国家专利权
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龙图腾网获悉广西电网有限责任公司电力科学研究院申请的专利一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116106800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310011980.4，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法是由周柯;金庆忍;卢柏桦;莫枝阅;刘鹏;秦丽文;姚知洋设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法，在衬底上生长磁敏感薄膜；通过光刻工艺磁敏感薄膜阵列结构；在薄膜阵列上方制备绝缘保护层和电镀磁通量聚集器前的种子层；在种子层上电镀磁通量聚集器层，从薄到厚依次完相应的磁通量控制器层，即从始至终仅需要在一片晶圆衬底上进行薄膜生长与刻蚀，且因完全同晶圆的薄膜工艺，有利于提升良率，大大降低了工艺复杂度。相较于单独测量各轴的磁场大小的方法，避免了非敏感轴方向磁场对芯片测量的干扰；且公式简单，方便采用机器学习等数据融合的方法来获得更准确的检测数据。
本发明授权一种单芯片三轴磁场传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单芯片三轴磁场传感器，其特征在于，包括： 衬底，其用于为其他器件提供支撑； 磁敏感薄膜阵列，至少三组所述磁敏感薄膜阵列设置在所述衬底的上方，对单一面内方向磁场具有敏感特性，所述磁敏感薄膜阵列的上方覆盖有绝缘保护层； 定值电阻模块，每一组所述磁敏感薄膜阵列均与相应的定值电阻模块连接形成惠斯通电桥结构； 磁通量控制器，每一组所述磁敏感薄膜阵列均与对应的具有不同厚度的磁通量控制器连接，所述磁通量控制器设置在磁敏感薄膜阵列上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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