上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224205520U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521616235.3，技术领域涉及：H10B53/30；该实用新型一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片。所述1T2FC铁电存储单元包括：硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区；栅极堆叠结构，布设于所述有源器件区上；源极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的一侧；漏极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的另一侧；第一铁电电容器，布设于第一板线与所述栅极堆叠结构之间；第二铁电电容器，布设于第二板线与所述栅极堆叠结构之间；字线，与所述栅极堆叠结构电连接；源线，与所述源极扩散区电连接；位线，与所述漏极扩散区电连接。本申请的1T2FC铁电存储单元，通过采用两个反向极化的铁电电容器和一个核心传感的晶体管，提升了面积效率和信号裕度。
本实用新型一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片在权利要求书中公布了：1.一种1T2FC铁电存储单元，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区； 栅极堆叠结构，布设于所述有源器件区上； 源极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的一侧； 漏极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的另一侧； 第一铁电电容器，布设于第一板线与所述栅极堆叠结构之间； 第二铁电电容器，布设于第二板线与所述栅极堆叠结构之间； 字线，与所述栅极堆叠结构电连接； 源线，与所述源极扩散区电连接； 位线，与所述漏极扩散区电连接。
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